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[期刊论文] 作者：R.M.Patrikar,敖玉贵,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了二氧化硅介质击穿场加速因子的计算方法。根据氧化层总电荷量不变(对用相同工艺步骤制造的MOS电容而言)的观察结果,并假定I-V曲线在击穿前由Fowler Nordheim沟道所...
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