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[期刊论文] 作者：卢志恒,王大椿,罗晏,苏颖,R.Pfandzelter,
来源：半导体学报 年份：1993
本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L...
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