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[会议论文] 作者：Maciej P.Polak,Robert Kudrawiec,
来源：第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain 年份：2016
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[期刊论文] 作者：孙嘉良,林家杰,金婷婷,池超旦,周民,Robert Kudrawiec,李进,游天桂,欧欣,
来源：null 年份：2020
在Si衬底上将单晶GaAs薄膜与其进行异质集成有望为硅基光电集成提供新的材料平台.本文基于对GaAs材料剥离机理的分析阐述,优化了GaAs薄膜转移工艺的离子注入条件.结果表明,相比于He离子单独注入,由于较小的热预算和注入后相对更低的缺陷密度, He/H离子共注入对......
[期刊论文] 作者：Zhang,Zhanglong Fu,Xiaomeng Zhao,Hua Li,Tiangui You,Li Yue,Jiaxiang Zhang,Niefeng Sun,Peng Gao,Robert Kudrawiec,
来源：中国科学：物理学 力学 天文学（英文版） 年份：2021
In this paper,InGaAs p-i-n photodetectors (PDs) on an InP/SiO2/Si (InPOI) substrate fabricated by ion-slicing technology are demonstrated and compared with the identical device on a commercial InP substrate.The quality of epitaxial layers o......
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