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大功率两单元MPD系列IGBT模块
[期刊论文] 作者：Michael Sleven,Prasad Bhalerao,Robert Wiatr,, 来源：电力电子技术 年份：2007
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优...
大功率两单元MPD系列IGBT模块
[期刊论文] 作者：Michael Sleven,Prasad Bhalerao,Robert Wiatr,三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部,, 来源：电力电子技术 年份：2007
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V.这种具有独特设计优...
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