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[期刊论文] 作者：Y.FUJIKI,S.FUKUDA,I.HAGA,张士祥,,
来源：无线电通信技术 年份：2004
利用一种凹型结构的砷化镓FET和微波集成电路工艺,已研制出复盖11.7～12.2GHz频段的低噪声神化镓FET放大器;在-50℃时其噪声温度小于140K(NF=1.71dB)。A low-noise gallium a...
[会议论文] 作者：,T.Ohtsubo,Y.Shimbara,T.Izumikawa,K.Tanaka,T.Suda,S.Momota,D.Nishimura,T.Minamisono,W.Xu,G.W.Fan,S.Fukuda,
来源：The 10th International Conference on Nucleus-Nucleus Collisi 年份：2009
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