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,Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vap
[期刊论文] 作者：Hu Wei-Xuan,Cheng Bu-Wen,Xue Chun-Lai,Su Shao-Jian,Wang Qi-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Wang Wei,Su Shao-Jian,Zheng Jun,Zhang Guang-Ze,Zuo Yu-Hua,Cheng Bu-Wen,Wang Qi-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiplequantum w
[期刊论文] 作者：Hu Wei-Xuan,Cheng Bu-Wen,Xue Chun-Lai,Zhang Guang-Ze,Su Shao-Jian,Zuo Yu-Hua,Wang Qi-Ming,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffe
[期刊论文] 作者：SU Shao-Jian,HAN Gen-Quan,ZHANG Dong-Liang,ZHANG Guang-Ze,XUE Chun-Lai,WANG Qi-Ming,CHENG Bu-Wen,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
Germanium-tin (Ge1-xSnx) p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors (pMOSFETs) were fabricated using a strained Ge0.985Sn0.015 thin film that was...
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