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[期刊论文] 作者:Soo-Seong Kim, 来源:电子与电脑 年份:2009
引言 自绝缘闸双极型晶体管(IGBT)于上世纪80年代面世以来,一直成为中等功率应用中最常用的部件“1,2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗,以及双极结型晶体管(b......
[期刊论文] 作者:Soo-Seong Kim,, 来源:电子与电脑 年份:2009
引言自绝缘闸双极型晶体管(IGBT)于上世纪80年代面世以来,一直成为中等功率应用中最常用的部件“1,2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗,以及双极结型...
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