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[期刊论文] 作者：T、Kafoba,T、Sugano,张荣桂,,
来源：半导体情报 年份：2004
从对同一样品测量结果之间的关系的讨论得知,用汽相淀积系统生长的砷化镓外延层中,电子迁移率降低的主要原因是由补偿受主和空间电荷区引起的,这两者都与铜的沾污有关。深陷...
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