砷化镓外延层的霍耳效应、肖特基势垒电容和光致发光光谱的测量及其相互关系

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从对同一样品测量结果之间的关系的讨论得知,用汽相淀积系统生长的砷化镓外延层中,电子迁移率降低的主要原因是由补偿受主和空间电荷区引起的,这两者都与铜的沾污有关。深陷阱对电子迁移率不起重要作用,因为它们的散射截面小至1.04×10~(-22)厘米~2。 From the discussion of the relationship between the measurement results of the same sample, it is found that the main reason for the decrease of the electron mobility in the gallium arsenide epitaxial layer grown by the vapor deposition system is caused by the compensation of the acceptor and the space charge region Both are related to copper contamination. Deep traps do not play an important role in electron mobility because their scattering cross sections are as small as 1.04 × 10 ~ (-22) cm ~ 2.
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