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[期刊论文] 作者：徐鸿达,T.G.Andersson,
来源：半导体学报 年份：1989
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置和幅度均发生变化.这是由于在热退火中金...
[期刊论文] 作者：钱士雄,袁述,吴建耀,李郁芬,T.G.Andersson,
来源：半导体学报 年份：1991
我们采用光调制透射方法从In_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场调制原理对调制透射谱进行拟合,得到了激子的...
[期刊论文] 作者：徐仲英,许继宗,葛惟锟,郑宝真,T.G.Andersson,Z.G.Chen,
来源：半导体学报 年份：1988
本文详细研究了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的光学性质.用一维方势阱模型和应变对能带结构的影响解释了荧光发射峰.观察到应变对热电子弛豫过程的影响,并发现用光荧光实验...
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