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[期刊论文] 作者：T.Noguchi,张俊杰,,
来源：半导体情报 年份：1982
为了改进K波段以上大功率FET的性能应用了深凹槽沟道结构。内匹配的器件已经展示了在18GHz下输出功率2W,功率附加效率16％,和在29.5GHz以下3dB的相关增益获得165mW的功率。De...
[会议论文] 作者：N.Miyagi,Y.Jinbu,R.Kawa,H.Itoh,T.Noguchi,M.Kusama,
来源：19th International Conference on Oral and Maxillofacial Surg 年份：2009
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[会议论文] 作者：S.Shu,S.Sekiguchi,M.Sekine,Y.Sekimoto,T.Nitta,A.Dominjon,T.Noguchi,M.Naruse,W.Shan,
来源：第27届国际空间太赫兹技术研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：S.Sekiguchi,M.Sugimoto,K.Mitsui,Y.Obuchi,S.Shu,Y.Sekimoto,N.Okada,T.Nitta,M.Sekine,A.Dominjon,M.Naruse,T.Noguchi,
来源：第27届国际空间太赫兹技术研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：S.Aoyama,K.Ami,A.Ohta,A.Fukuda,K.Imai,H.Ganno,H.Amagasa,T.Noguchi,H.Sugita,Y.Umebayashi,M.Kawaguchi,S.Matsui,
来源：第十二届国际胃癌学术会议 年份：2017
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