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[期刊论文] 作者：W.K.Chu,林文长,,
来源：半导体情报 年份：1975
本文介绍用2.0兆电子伏的He~+离子反向散射测量技术来测定能量为150～300千电子伏的锌、镓、砷、硒、镉、碲离子注入到SiO_2、Si_3N_4和Al_2O_3中的射程分布。测得的投影射程均...
[期刊论文] 作者：卢志恒,张孝吉,W.K.Chu,
来源：半导体学报 年份：1986
通过电特性测量,背散射分析和电子显微镜观察对快速热退火制备的样品,在450-850℃后退火过程中As在Si中的行为进行了系统的研究.结果表明,方块电阻的变化在750℃附近有极大值...
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