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An Early Paleozoic Tectonic Mélange at the Western Margin of West Cathaysia: Constraints from Organi
[期刊论文] 作者：WANG Lijun,ZHANG Kexin,HE Weihong,YIN Leiming,Shoufa LIN,
来源：地质学报（英文版） 年份：2020
The Jiangshan-Shaoxing-Pingxiang Fault (JSP Fault) is traditionally considered as the boundary between the Yangtze and Cathaysia blocks in South China. Whether...
[会议论文] 作者：Weihong Yin,尹伟红,Qin Han,韩勤,Xiaohong Yang,杨晓红,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组件，面临着高速，高探测效率，低损耗等要求......
[期刊论文] 作者：Yubing Wang,Weihong Yin,Qin Han,Xiaohong Yang,Han Ye,Qianqian Lv,Dongdong Yin,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2016
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A method to transfer an individual graphene flake to a target position with a precision of sub-micro
[期刊论文] 作者：Yubing Wang,Weihong Yin,Qin Han,Xiaohong Yang,Han Ye,Qianqian Lü,Dongdong Yin,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
Graphene field-effect transistors have been intensively studied.However,in order to fabricate devices with more complicated structures,such as the integration w...
[会议论文] 作者：Bin Li,Qin Han,Xiaohong Yang,Shaoqing Liu,Weihong Yin,Chenglei Nie,李彬,韩勤,杨晓红,刘少卿,尹伟红,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法...
[会议论文] 作者：Chenglei Nie,Xiaohong Yang,Shaoqing Liu,Bin Li,Weihong Yin,Qin Han,聂诚磊,杨晓红,刘少卿,李彬,尹伟红,韩勤,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性，本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压，得到了沟道内部电势分布图，分析了器件的整流特......
[会议论文] 作者：Bin Li,Qin Han,Xiaohong Yang,Shaoqing Liu,Weihong Yin,Chenglei Nie,李彬,韩勤,杨晓红,刘少卿,尹伟红,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0...
[会议论文] 作者：Bin Li,李彬,Qin Han,韩勤,Xiaohong Yang,杨晓红,Shaoqing Liu,刘少卿,Weihong Yin,尹伟红,Chenglei Nie,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA.未生长抗反膜的器件对1.55微米的光的初始响应度(增......
[会议论文] 作者：Chenglei Nie,聂诚磊,Xiaohong Yang,杨晓红,Shaoqing Liu,刘少卿,Bin Li,李彬,Weihong Yin,尹伟红,Qin Han,韩勤,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性，本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压，得到了沟道内部电势分布图，分析了器件的整流特性，从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器件表面参数对器件电流特性的影响：沟......
[会议论文] 作者：Bin Li,李彬,Qin Han,韩勤,Xiaohong Yang,杨晓红,Shaoqing Liu,刘少卿,Weihong Yin,尹伟红,Chenglei Nie,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了器件的制备难度。对于30微......
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