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[会议论文] 作者:Jin-Hong Park,Myung-Hoon Lim,Woo-Shik Jung,Krishna C. Saraswat, 来源:2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议 年份:2011
Source/drain (S/D) thermal formation is a strenuous issue on a single crystalline Si (s-Si) for the application of LCD and 3D integration because the minimum temperature required for S/D activation is...
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