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[会议论文] 作者：XiaoWanFu[1]付小玩[2]XiaoMinHE[1]贺小敏[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了一种具有埋沟结构的离子注入外延型SiCIG...
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