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[期刊论文] 作者:N.沃马罗,M.奥苏基,Y.霍希,S.约希沃塔里,T.米耶塞凯,Y.西基,花蕾,, 来源:电力电子 年份:2004
介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术,这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成...
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