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[期刊论文] 作者：Z.Shanfield,成福康,
来源：微电子学 年份：1986
采用受热激发电流和高频C—V测量技术,研究了MOS电容器中辐照引起的空穴俘获和界面态与器件加工的相互关系。我们发现、多晶硅栅的制备使研究的所有栅氧化物都酷似用氢氧火成...
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