搜索筛选:
搜索耗时1.3156秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 13 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：Zhiyuan He,Yongri Liang,
来源：第十届国际高分子物理学术讨论会 年份：2012
...
Effective Morphology Control in an Immiscible Crystalline/Crystalline Blend by Artificially Selected
[会议论文] 作者：Zhiyuan He,Charles C. Han,
来源：The 11th International Symposium on Polymer Physics(PP2014)( 年份：2014
We investigated the interplay between viscoelastic phase separation(VPS)and crystallization in a dynamically asymmetric crystalline/crystalline polymer blend system of poly(butylene succinate)(PBS)/po...
CLINICAL APPLICATION OF DIFFERENT CEREBRAL PROTECTION DEVICES IN CAROTID ANGIOPLASTY AND STENTING IN
[会议论文] 作者：Chi Luxiang,Song Zhiyuan,He Guoxiang,
来源：The 22nd Great Wall International Congress of Cardiology Asi 年份：2011
...
CLINICAL APPLICATION OF DIFFERENT CEREBRAL PROTECTION DEVICES IN CAROTID ANGIOPLASTY AND STENTING IN
[会议论文] 作者：Chi Luxiang,Song Zhiyuan,He Guoxiang,
来源：The 22nd Great Wall International Congress of Cardiology Asi 年份：2011
...
[会议论文] 作者：Hong Yukun,Chi Luxiang,Song Zhiyuan,He Guoxiang,Liu Jianping,
来源：The 22nd Great Wall International Congress of Cardiology Asi 年份：2011
...
The fabrication of Al2O3 gate AlGaN/GaN MOS-HFET device and study of the insulating properties of th
[会议论文] 作者：Zhen Shen,Jincheng Zhang,Guilin Zhou,Zhiyuan He Yao Yao,Yiqiang Ni,Fan Yang,Yang Liu,
来源：第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会 年份：2012
...
[会议论文] 作者：Fan Yang,Zhexiong Lin,Wei Zhang,Jincheng Zhang,Zhiyuan He,Yiqiang Ni,Yang Liu,杨帆,林哲雄,张炜,张金城,贺致远,倪毅强,刘扬,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模...
[会议论文] 作者：Fan Yang,杨帆,Zhexiong Lin,林哲雄,Wei Zhang,张炜,Jincheng Zhang,张金城,Zhiyuan He,贺致远,Yiqiang Ni,倪毅强,Yang Liu,刘扬,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变......
[会议论文] 作者：Zhen Shen,沈震,Jincheng Zhang,张金城,Guilin Zhou,周桂林,Zhiyuan He,贺致远,姚尧,Yao Yao,倪毅强,Yiqiang Ni,Fan Yang,杨帆,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O3介质层的插入降低了栅极......
[会议论文] 作者：Yiqiang Ni,Zhiyuan He,Jian Zhong,Fan Yang,Yao Yao,Peng Xiang,Baijun Zhang,Yang Liu,倪毅强,贺致远,钟健,杨帆,姚尧,向鹏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过S...
[会议论文] 作者：Yiqiang Ni,倪毅强,贺致远,Zhiyuan He,Jian Zhong,钟健,Fan Yang,杨帆,Yao Yao,姚尧,Peng Xiang,向鹏,张佰君,Baijun Zhang,Yang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析,P型现象主要是由于外延生长时高温AlN中的A1原子扩散进Si衬底所导致......
[会议论文] 作者：Zhiyuan He,贺致远,倪毅强,Yiqiang Ni,Fan Yang,杨帆,Yao Yao,姚尧,Zhen Shen,沈震,Peng Xiang,向鹏,张佰君,Baijun Zhang,Yang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向击穿测试，发现引入低温AlN插入层后，体材料漏电流显著上升，从而导致击穿电压下降。进一步的变温霍尔测试和二次离子质谱测试可以证实......
Less and shrunken pollen 1 (LSP1) encodes a member of the ABC transporter family required for pollen
[期刊论文] 作者：Tao Luo,Ting Zou,Guoqiang Yuan,Zhiyuan He,Wenjie Li,Yang Tao,Miaomiao Liu,Dan Zhou,Hongfeng Zhao,Jun,
来源：作物学报（英文版） 年份：2020
Pollen fertility is an agronomic trait that strongly influences rice yield. Recent studies have revealed that the development of the pollen wall is required for...
相关搜索：
