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[会议论文] 作者：刘兴辉,朱长纯,李玉魁,
来源：全国第三届纳米材料和技术应用会议 年份：2003
制备了碳纳米管阴极,测试表明具有良好的场发射性能;建立了碳纳米管场发射的理论模型,将组成阵列的碳纳米管(CNTs)的半径看成是符合高斯分布,将单根的CNTs看成是准一维的,求...
[会议论文] 作者：朱长纯,康学军,刘君华,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：封伟,易文辉,朱长纯,
来源：液晶与显示 年份：1997
介绍了导电高分子材料在电致变色和电致发光方面的应用，综合报道了该科学技术领域国内外的进展状况以及存在的问题，并对电致变色和电致发光机理、材料制备与器件的制作等研究现......
[期刊论文] 作者：关辉,朱长纯,刘君华,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。In this pap...
[期刊论文] 作者：朱长纯,钱伟,朱仁跃,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
在改进的超突变结变容管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的V_b,N_o数据表:同时用牛顿迭代法进行了数值求解,得...
[会议论文] 作者：刘兴辉,朱长纯,李玉魁,
来源：2002年西部地区纳米技术与应用研讨会 年份：2002
关于碳纳米管的研究越来越多,经理论预测并通过实验观察到了许多特性.本文从电学、力学的角度对碳纳米管的理论研究现状进行了综述,对碳纳米管的掺杂和缺陷进行了分析并对碳...
[会议论文] 作者：党涛,刘卫华,朱长纯,
来源：第七届中国纳米科技(西安)研讨会 年份：2008
本论文用射频等离子体增强化学气相淀积法,成功制备出碳纳米墙。以甲烷为碳源,氢气为辅助气体,通过生长气源组份、等离子体功率、反应气压以及生长时间等多个工艺参数的大量...
[期刊论文] 作者：袁寿财,朱长纯,单建安,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验，对比了辐照前后器件的关断特性。A brief analysis of the working mechanism of IGB......
[期刊论文] 作者：李德昌,肖向春,朱长纯,
来源：电子科技 年份：1998
场致发射阵列（ＦＥＡ）平板显示器的实现，标志着ＦＥＡ发展到新的阶段，对ＦＥＡ的研究也提出了新的要求。场致发射的实验研究是目前推进ＦＥＡ技术的一种重要手段。文中主要从ＦＥＡ场致发射的过程观察和分析发射......
[期刊论文] 作者：朱长纯,吴春瑜,张九惠,
来源：西安交通大学学报 年份：1996
根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的......
[期刊论文] 作者：袁寿财,朱长纯,单建安,
来源：微电子学 年份：1998
简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０ＶＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致了器件有关特性的退化。A brief analysis......
[期刊论文] 作者：朱长纯,关辉,李天英,
来源：半导体学报 年份：1996
本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线......
[期刊论文] 作者：薛耀国,朱长纯,陈福山,
来源：微电子学与计算机 年份：1996
本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板既可当正胶板用也可作负胶板用，即得到“正负......
[会议论文] 作者：邓宁,朱长纯,李俊峰,
来源：第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 年份：1999
本文提出了一种机关报型结构的真空微电子磁敏传感器。该传感器的阳极分为五个部分，可以检测出电子束流在磁场作用下的偏转，利用坐标变换对磁场的三维分量分离求解，最终确定器件......
[会议论文] 作者：袁寿财,朱长纯,汪李明,
来源：第七届中国纳米科技(西安)研讨会 年份：2008
碳纳米管阴极平板显示是现代平扳显示新技术,是在纳米技术及碳纳米管研究基础上发展起来的。在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高压驱动电路是重要研究内容之一。本文结合碳纳米管显示器研究过程中对高压驱动电路的需要,设计并分析了各种高......
[会议论文] 作者：李玉魁,朱长纯,刘兴辉,
来源：中国电子学会真空电子学分会第七届真空技术应用学术会议 年份：2002
作者用高温催化热解法制备了碳纳米管材料设计了独立栅极的新型场发射显示结构,对碳纳米管场发射特性曲线进行了详细研究....
[会议论文] 作者：王琪琨,朱长纯,蒋飞,
来源：第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 年份：2001
本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺,热解法获得的碳纳米管经过研磨,再与粘合剂、有机溶剂混合,直接涂敷在硅基底上,用二极管结构测量了其场发射特性,其开启电压为1.02V/μm,电流密度在4.5V/μm时达到了6.8μA/cm.在磁场下进行表面处理,开启电压提......
[会议论文] 作者：贺永宁,朱长纯,张景文,
来源：第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 年份：2001
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调整晶粒自身的尺寸和结晶质量,可以在较低的光泵阈值下实现紫外激光.......
[期刊论文] 作者：李炳乾,朱长纯,刘君华,
来源：国外电子元器件 年份：2001
本文从微电子机械系统（MEMS）的基本加工技术和MEMS器件等方面介绍了MEMS的发展过程;综述了国内外MEMS加工技术，特别是新型MEMS器件与系统方面的最新研究进展，介绍了欧美日等发达...
[期刊论文] 作者：吴浩扬,常炳国,朱长纯,
来源：软件学报 年份：2001
简要介绍正交试验设计法与遗传算法的基本原理 ,分析它们之间的内在关系 ,指出正交试验设计法可以认为是遗传算法的一种特例 ,即它是一种初始种群固定的、只使用定向变异算子...
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