搜索筛选:
搜索耗时1.1416秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 33 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：李强,徐重阳,万新恒,张科峰,
来源：电子技术 年份：1997
基于ＰＯＣＳＡＧ码的信令格式，研制了一种基于ＡＴ８９Ｃ２０５１单片机的接收解码装置，对其硬件组成和软件设计要点进行了详细阐述。最后，还对该成果的使用价值及开发前景进行了简要叙述。Based on the sig......
[会议论文] 作者：高文钰,万新恒,张兴,刘忠立,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对多晶硅后高温退火对热SiO可靠性的退化作用进行了实验研究,并采用NO氮化抑制了多晶硅后高温退化效应....
[期刊论文] 作者：丁晖,徐重阳,曾祥斌,戴拥兵,万新恒,
来源：微电子学 年份：1997
讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工......
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果与实验吻合较好 .初步分析了高剂量条件下不...
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,朱兴方,赵伯芳,丁晖,
来源：自动化与仪表 年份：1997
容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ.........
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2002
推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与...
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,黄如,甘学温,王阳元,
来源：半导体学报 年份：2001
首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 ....
[期刊论文] 作者：万新恒,甘学温,张兴,黄如,王阳元,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一个含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 .该模型能自动计入体耗尽条件 ,不需要分类考虑不同膜厚时的情况 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参...
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,谭静荣,高文钰,黄如,王阳元,
来源：电子学报 年份：2001
报道了全耗尽SOI MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的...
[会议论文] 作者：万新恒,黄爱华B北京大学微电子学研究所,张兴,黄如,王阳元,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,邹雪城,张少强,袁奇燕,丁晖,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ta－Si：HTFT电流－电压特性的解析......
[期刊论文] 作者：丁晖,徐重阳,邹雪城,张少强,戴永兵,袁奇燕,万新恒,
来源：微电子学 年份：1996
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的７５ｍｍ３７２×２７６像素α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源矩阵The infl......
[期刊论文] 作者：徐重阳,丁晖,邹雪城,张少强,冯汉华,戴永兵,袁奇燕,万新恒,
来源：半导体技术 年份：1997
由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径——神经网络反向传播算法（ＢＰ算法），并介绍了神经网络ＢＰ算法在ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通......
相关搜索：
