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[期刊论文] 作者：谷永涛,魏峰,孙拓,徐万劲,冉广照,章勇,牛巧利,秦国刚,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2012
分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到这四种薄膜都具有 1 5 4μm的峰位 ,其强度与...
[会议论文] 作者：秦国刚,罗剑兴,孟虎,孙拓,李延钊,戴伦,冉广照,徐万劲,
来源：第七届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：侯瑞祥,李磊,方鑫,孙国胜,徐万劲,肖池阶,冉广照,秦国刚,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
掺杂在半导体工业中具有非常重要的意义.传统的半导体掺杂方法有两种,即热扩散和离子注入.热扩散通常需要高温和很长时间,能耗巨大、效率低,而且高温加热过程中半导体材料很容易受到来自周围环境中杂质的玷污.本文延续上述工作，对上述等离子体室温掺杂方法的物理......
[期刊论文] 作者：陈源,冉广照,戴 伦,袁放成,秦国刚,马振昌,宗婉华,吴正龙,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化...
[会议论文] 作者：陈开茅,冉广照,陈源,付济时,张伯蕊,朱美栋,乔永平,武兰青,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
固体C(或C)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP)形成良好的异质结,其整流比高达10~10.十多年来,固体C(C)一直是被众多的物......
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：物理学报 年份：2001
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er...
[会议论文] 作者：李延钊,王子龙,罗恒,王彦哲,徐万劲,冉广照,秦国刚,赵伟强,刘慧,
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
本文报道了一种采用纳米厚度(～10 nm)的镍硅化合物/p型多晶硅复合薄膜为阳极的有机磷光发光二极管,器件结构是：Al反射镜/玻璃衬底/Si隔离层/镍硅化合物/p型多晶硅/V2O5/NPB/CBP：(ppy)2Ir(acac)/Bphen/Bphen：Cs2CO3/Sm/Au/BCP.复合薄膜阳极中的镍诱导晶化p型多晶硅向......
[会议论文] 作者：戴兴,葛超洋,李梦珂,李召松,李稚博,周旭亮,陈娓兮,冉广照,于红艳,潘教青,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
硅与Ⅲ-Ⅴ族激光器混合集成是目前实现硅基激光最有效且最有可能实现实用化的方案之一.本课题组和北京大学合作,采用选区金属键合的方案已经实现了几种硅基激光器,其中最具代表性的结构是掩埋脊波导(Buried Ridge Waveguide:BRS)硅基键合激光器,并通过在硅波导......
[会议论文] 作者：李延钊[1]王子龙[1]罗恒[1]王彦哲[1]徐万劲[1]冉广照[1]秦国刚[1]赵伟强[2]刘慧[2],
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
本文报道了一种采用纳米厚度(～10 nm)的镍硅化合物/p型多晶硅复合薄膜为阳极的有机磷光发光二极管,器件结构是：Al反射镜/玻璃衬底/Si隔离层/镍硅化合物/p型多晶硅/V2O5/NPB...
[期刊论文] 作者：RAN Guang-Zhao(冉广照),SUN Yong-Ke(孙永科),CHEN Yuan(陈源),DAI Lum(戴伦),CUI Xiao-Ming(崔晓明),ZHANG Bo-Rui(张伯蕊),QIAO,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
Electroluminescence (EL) is observed from the Au/Si-rich SiO2 film/p-Si diodes, in which the Si-rich SiO2 films are scored deliberately by a diamond tip. The EL...
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