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[期刊论文] 作者：穆辛,周新田,张慧慧,金锐,刘钺杨,吴郁,,
来源：电子科技 年份：2014
传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题，文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器，并在0．18μm工艺下对电......
[期刊论文] 作者：余名星, 吴郁玲, 周勇, 袁佳宇, 黄丹, 冯忠垒,,
来源：经济地理 年份：2014
以湖北省通山县为例,基于自然、经济和社会等限制性因素的分析,利用综合修正法测算了农村居民点的现实整理潜力,在此基础上,建立挂钩能力指数模型,根据各乡镇城乡建设用地增...
[期刊论文] 作者：洪勇, 万胜, 蒋州, 田纪青, 田纪渭, 吴郁, 刘学明,,
来源：中国骨与关节损伤杂志 年份：2014
目的探讨跟骨骨折术后切口皮肤坏死的原因,并提出预防措施。方法对371例(408足)跟骨骨折采用外侧入路行切开复位内固定术,其中术后8足皮瓣拐角部边缘坏死,从术后皮瓣的角度对...
[会议论文] 作者：屈静,吴郁,胡冬青,贾云鹏,匡勇,苏洪源,李蕊,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,分析讨论...
[会议论文] 作者：李蕊,胡冬青,吴郁,贾云鹏,苏洪源,屈静,匡勇,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情况下降低饱和压降,将起电荷耦合作用的垂直RE...
[会议论文] 作者：匡勇;贾云鹏;吴郁;胡冬青;屈静;苏洪源;李蕊;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文提出了一种新型场终止IGBT结构——线性掺杂场终止型IGBT(Line Doping Field Stop-LDFS)。与传统FS-IGBT的突变掺杂的场终止结构不同，本文提出的LDFS-IGBT具有20-30μm宽,...
[会议论文] 作者：苏洪源;胡冬青;吴郁;贾云鹏;李蕊;匡勇;屈静;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
载流子存储层(Carrier Stored Layer-CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.本文在CSL层下方近哑元胞侧设计了P型埋层(P Buried Layer-PBL),利...
[期刊论文] 作者：梁华茂,侯征,李萌,朱馥丽,吴郁,张坤,郭红燕,熊光武,
来源：中国微创外科杂志 年份：2014
目的：分析卵巢交界性肿瘤行腹腔镜再分期手术的病例特点，探讨再分期手术的价值。方法我科1994年1月～2013年7月手术的卵巢交界性肿瘤129例中，行腹腔镜再分期手术6例。初次手术后诊......
[会议论文] 作者：屈静,周新田,匡勇,苏洪源,李蕊,吴郁,刘钺杨,金锐,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会 年份：2014
动态雪崩问题是影响高压快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)坚固性的一个主要因素.结合现有国内工艺平台,设计了一个具有场屏蔽阳极(field shield anode,FSA)结构的3.3kV功率快恢复二极管.仿真分析表明,与常规结构相比,其具有快恢复与低漏电流特性,且在抗动......
[期刊论文] 作者：周新田,吴郁,胡冬青,贾云鹏,张惠惠,穆辛,金锐,刘钺杨,,
来源：半导体技术 年份：2014
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片...
[会议论文] 作者：屈静[1]周新田[1]匡勇[1]苏洪源[1]李蕊[1]吴郁[1]刘钺杨[2]金锐[2],
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会 年份：2014
动态雪崩问题是影响高压快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)坚固性的一个主要因素.结合现有国内工艺平台,设计了一个具有场屏蔽阳极(field shield anode,FSA)结构的3.3kV...
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