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[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2012
Low-frequency and High-frequency Capacitance-Voltage(C-V) curves of Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors,showing electron and hole trapping at shallow-l...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2012
Metal-Oxide-Semiconductor Capacitance-Voltage(MOSCV) characteristics containing giant carrier trapping capacitances from 3-charge-state or 2-energy-level impuri...
The Bipolar Field-Effect Transistor:Ⅷ.Longitudinal Gradient of Longitudinal Electric Field(Two-MOS-G
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2010
This paper evaluates the electric current terms from the longitudinal gradient of the longitudinal electric field in Bipolar Field-Effect-Transistors(BiFETs) wi...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2009
This paper describes the definition of the complete transistor.For semiconductor devices,the complete transistor is always bipolar,namely,its electrical charact...
The Bipolar Field-Effect Transistor:XⅢ. Physical Realizations of the Transistor and Circuits(One-Two
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2009
This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor (BiFET) and its onetransistor basic building block circuits. Examples are giv...
The Bipolar Field-Effect Transistor:Ⅶ.The Unipolar Current Mode for Analog-RF Operation(Two-MOS-Gate
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2009
This paper reports the DC steady-state current-voltage and conductance-voltage characteristics of a Bipolar Field-Effect Transistor(BiFET) under the unipolar(el...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅( MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维问题,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2008
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2008
本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现.通过数字求解五个偏...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2008
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2008
上篇论文(XI)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(XII)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形.两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2008
本文报告用双极场引晶体管(BiFET)电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2008
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2008
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏...
Impurity Deionization Effects on Surface Recombination DC Current-Voltage Characteristics in MOS Tra
[期刊论文] 作者：陈祖辉,揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2010
Impurity deionization on the direct-current current-voltage characteristics from electron-hole recombination (R-DCIV) at SiO_2/Si interface traps in MOS transis...
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