搜索筛选:
搜索耗时1.1234秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 78 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：朱慧群,丁瑞钦,蔡继业,胡怡,,
来源：电子元件与材料 年份：2006
利用射频磁控溅射技术，在单晶硅村底上生长出高质量（0002）晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究，发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓......
[期刊论文] 作者：朱慧群,丁瑞钦,王忆,吴桐庆,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs／SiO2纳米薄膜。通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）及吸收光谱的测试，发现衬底温度、退......
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,杨恢东,王浩,周国荣,
来源：半导体技术 年份：2000
从全光通信对光子器件的要求出发 ,报道了近年来在半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展。强量子限制效应可以大大地减小激子的寿命 ,但这种材料 ( -...
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,杨恢东,周国荣,王浩,
来源：半导体技术 年份：2000
报道了近年来半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解。The main measurement methods and techn...
[会议论文] 作者：王浩,丁瑞钦,杨恢东,张才国,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：朱慧群,丁瑞钦,姚若河,吴桐庆,,
来源：材料导报 年份：2006
采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究，发现Si衬底的离子束表面氮化对...
[会议论文] 作者：丁瑞钦,朱慧群,赵丽特,吴桐庆,
来源：2005(第四届)中国纳米科技西安研讨会 年份：2005
本文利用射频共溅射方法,在溅射气氛含氢与不舍氢条件下,在石英玻璃和抛光硅片衬底上沉积GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜。实验结果表明,在气氛含氢条件下制备的薄膜的室温吸...
[期刊论文] 作者：王浩,王小平,杨恢东,丁瑞钦,胡恩蔚,
来源：微细加工技术 年份：1998
介绍了一种基于巨磁电阻效应的全新的磁电子学器件──巨磁电阻随机存储器。A new magnetoelectronic device based on giant magnetoresistance (GMR) random memory is i...
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,李渭清,胡林,关小泉,杨恢东,
来源：五邑大学学报：自然科学版 年份：1995
改进物理教学，培养开拓型人才丁瑞钦，李渭清，胡林，关小泉，杨恢东（五邑大学数学物理系江门市５２９０２０）１９９４年１２月９日，在广州举行的“广东省高等学校首届大学生物理实验设计大奖赛决赛”上，我校参赛的两......
[期刊论文] 作者：王浩,丁瑞钦,杨恢东,胡社军,刘正义,
来源：材料导报 年份：1998
采用分类论述的方法,围绕巨磁电阻薄膜在高密度磁记录读磁头领域的潜在应用前景,介绍了巨磁电阻薄膜的研究进展情况,并分析了其发展趋势。Using the method of classificat...
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,王浩,佘卫龙,丘志仁,罗莉,
来源：半导体学报 年份：2002
应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了 Ga As/ Si O2 纳米颗粒镶嵌薄膜 ,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分 .结果...
[期刊论文] 作者：朱慧群,丁瑞钦,庞锐,麦开强,吴劲辉,,
来源：光电子.激光 年份：2007
采用直流反应溅射法，在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分，优选Ar：O2—8：1成功研制出高响应度n-ZnO／p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器。实验关键是利用缺O法在n-Zn......
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,王浩,佘卫龙,王宁娟,于英敏,
来源：材料研究学报 年份：2001
应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了 InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进...
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,朱慧群,吴桐庆,王忆,赵丽特,
来源：云南大学学报：自然科学版 年份：2005
利用射频共溅射方法,在溅射气氛含氢与不含氢条件下,在石英玻璃和抛光硅片衬底上沉积GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.实验结果表明,在气氛含氢条件下制备的薄膜的室温吸收光谱存...
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,王浩,W.F.LAU,W.Y.CHEUNG,S.P.WONG,王宁娟,于英敏,
来源：物理学报 年份：2001
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP...
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,王浩,W.F.LAU,W.Y.Cheung,S.P.WONG,王宁娟,于英敏,,
来源：物理学报 年份：2001
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO2复合薄膜，并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明，复合薄膜中InP和SiO2...
[期刊论文] 作者：赵银平,丁瑞钦,朱慧群,胡怡,王忆,汪河洲,,
来源：电子元件与材料 年份：2007
利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面（0002）取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段，分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结......
[期刊论文] 作者：丁瑞钦,王浩,佘卫龙,丘志仁,罗莉,W.Y.Cheung,S,
来源：半导体学报 年份：2004
应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs...
[会议论文] 作者：丁瑞钦,王浩,余卫龙,丘志仁,李润华,S.P.Wong,
来源：第十五届全国激光学术会议 年份：2001
采用脉冲高斯激光光束Z扫描方法测量了用磁控共溅射技术制备的InP/SiO纳米颗粒薄膜的非线性光学性质.测量结果表明,在激光波长为585nm(非共振)的条件下,经310℃退火的薄膜的非线性折射率系数γ的大小为10m/W量级,比块材InP晶体相应的数值提高了5个数量级.薄膜的......
[期刊论文] 作者：朱慧群,李毅,丁瑞钦,王忆,黄洁芳,张锐华,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱（PL）、霍尔参数、I-V特性、扫描电...
相关搜索：
