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[期刊论文] 作者：张吉英,孙甲明,范希武,姜锦秀,陈连春,
来源：发光学报 年份：1993
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表...
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮,Gerd．O．Mueller,ReginaMuller－Mach,
来源：无机材料学报 年份：1998
本文研究了S＋H2，S；H2S＋H2；H2S，S＋H2S和S＋H2S十H2等不同气氛下用CaCO3硫化法制备的CaS粉末中的CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛和反应方法的关系．X射线衍射分析表明，CaSO4和CaO杂质相......
[会议论文] 作者：刘犇,侯琼琼,邢晓东,刘晓芳,孙甲明,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：邢晓东,刘犇,侯琼琼,刘晓芳,孙甲明,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：孙甲明,张俊杰,杨阳,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,M. Helm,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发...
[期刊论文] 作者：张俊杰,孙甲明,杨阳,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,M. Helm,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2004
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研...
[期刊论文] 作者：杨阳,孙甲明,张俊杰,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,M. Helm,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管...
[期刊论文] 作者：孙甲明,范希武,韩力,张吉英,费浩生,车颜龙,
来源：发光学报 年份：1994
采用ＹＡＧ：Ｎｄ激光器的１．０６μｍ谱线的三倍频３５５ｎｍ激光激发多孔硅样品时，观测到一个峰值位于４６５ｎｍ的发光谱带，通过样品的发光光谱，透射光谱、以及时间分辨光谱的测量，初步探讨了新谱带的起源。......
[期刊论文] 作者：李俊梅,徐晓轩,王玉芳,王斌,孙甲明,张存洲,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2010
采用热蒸镀的方法直接在多孔氧化铝（porous anodic alumina,PAA）模板上蒸镀几微米的银膜,然后在HCl溶液中溶解掉模板,得到表面具有纳米尺度规则结构的银膜作为表面增强拉曼散射...
[会议论文] 作者：刘海旭,闫艳花,侯琼琼,王肖珩,孟凡杰,孙甲明,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
硅基发光器件在半导体光电集成和光通信等领域具有广泛的应用前景。近年来，Er3+掺杂的MOS结构发光器件(MOSLED)因其较高的发光效率而受到广泛关注。Er掺杂的纳米硅氧化物中，受...
[会议论文] 作者：闫艳花,刘海旭,孟凡杰,侯琼琼,王肖珩,孙甲明,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
SnO2是一种直接带隙宽禁带(Eg=3.6～4.0eV)氧化物半导体。它在可见光区透明而在红外区反射并具有优异的导电性和较好的化学稳定性，被广泛的应用于透明导电玻璃、太阳能电池、气...
[会议论文] 作者：侯琼琼,孙甲明,孟凡杰,刘海旭,闫艳花,靳亚粉,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
铝酸锌是一种具有立方尖晶石结构的宽禁带半导体材料,带隙为3.8 eV,稀土和过渡族元素掺杂的铝酸锌作为高效率的荧光粉材料,已经在发光和显示领域得到广泛应用.国内外一些...
[期刊论文] 作者：钟国柱,孙甲明,付国柱,郑陈玮,张曙芝,范希武,
来源：光电子技术 年份：1996
从交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的要求，对ACTFEL矩阵显示屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层SI......
[期刊论文] 作者：孙甲明,申德振,范希武,张吉英,吕有明,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1994
本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,付国柱,郑陈玮,张曙芝,范希武,
来源：发光学报 年份：1996
本文从交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计．从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式的......
[期刊论文] 作者：刘宁宁,孙甲明,潘少华,陈正豪,王荣平,师文生,王晓光,
来源：物理学报 年份：2000
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2 超晶格 .利用透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射技术对其结构进行了分析 ,结果表明 ,超晶格中Si层大部分区域为非晶相 ,局域微...
[会议论文] 作者：孟凡杰,孙甲明,侯琼琼,闫艳花,靳亚粉,王肖珩,刘海旭,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
ZnO材料具有价格低廉、生物兼容好、发光效率高等优点，因此其电学性质和光学性质的研究受到广泛关注[1]。其中原子层沉积(ALD)方法制备的ZnO薄膜具有生长温度低，大面积厚度...
[期刊论文] 作者：刘宁宁,孙甲明,潘少华,陈正豪,王荣平,师文生,王晓光,陈凡,
来源：科学通报 年份：2000
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格．利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究．结果表明......
[期刊论文] 作者：皮彪,孙甲明,林耀望,姚江宏,邢晓东,蔡莹,舒强,贾国治,刘,
来源：人工晶体学报 年份：2007
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种，第一种是生长...
[期刊论文] 作者：皮彪,孙甲明,林耀望,姚江宏,邢晓东,蔡莹,舒强,贾国治,刘,
来源：人工晶体学报 年份：2007
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌.在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长.其主要原因有两种,第一种是生长温...
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