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[期刊论文] 作者：高金环,杨瑞霞,武一宾,贾科进,商耀辉,张磊,杨克武,,
来源：电子器件 年份：2007
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延（MBE）技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器...
[期刊论文] 作者：商耀辉,武一宾,卜夏正,牛晨亮,王建峰,李亚丽,张雄文,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束...
[期刊论文] 作者：马永强,武一宾,杨瑞霞,齐国虎,李若凡,商耀辉,陈昊,牛晨亮,,
来源：半导体技术 年份：2007
用x射线双晶衍射法（XRD）对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品（004）面进行测试，在所有样品的测试结果中发现，摇摆曲线主峰左侧160”附近均出现傍肩，并且主峰衍射强度也......
[期刊论文] 作者：商耀辉，武一宾，卜夏正，牛晨亮，王建峰，李亚丽，张雄文，Sh,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：马永强,武一宾,杨瑞霞,李若凡,商耀辉,牛晨亮,卜夏正,王建,
来源：半导体技术 年份：2007
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响，X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时，不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠......
[期刊论文] 作者：马永强,武一宾,杨瑞霞,李若凡,商耀辉,牛晨亮,卜夏正,王建峰,,
来源：半导体技术 年份：2007
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干...
[期刊论文] 作者：武一宾,杨瑞霞,杨克武,商耀辉,卜夏正,牛晨亮,赵辉,王建峰,,
来源：光电子.激光 年份：2011
以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制...
[期刊论文] 作者：王建峰,武一宾,王健,商耀辉,牛晨亮,师巨亮,赵辉,王中旭,韩颖,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
采用有限元分析法解决了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区模拟问题。由于InP基差频THz QCL有源区为千层纳米结构,无法拆分实验探索,因此模拟分析显得尤为必要。首先列出...
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