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[期刊论文] 作者：刘亮,张海英,尹军舰,李潇,杨浩,徐静波,宋雨竹,张健,牛洁斌,刘训春,,
来源：半导体学报 年份：2007
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高...
[会议论文] 作者：谢常青[1]牛洁斌[1]王德强[1]董立军[1]陈大鹏[1]伊福廷[2]张菊芳[2],
来源：北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 年份：2005
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而...
[会议论文] 作者：陈宝钦,刘明,任黎明,卜伟海,张国艳,陆晶,龙世兵,李泠,薛丽君,牛洁斌,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
电子束直写是深亚微米加工技术的重要手段,但是由于电子散射、背散射现象的存在以及电子束高精度扫描成像曝光低效率的问题影响了电子束曝光技术的应用,实践证明电子束邻近效应校正技术和电子束与光学曝光系统的匹配和混合光刻技术相结合是一种非常有效的办法,......
[会议论文] 作者：陈宝钦,谢常青,刘明,赵珉,吴璇,牛洁斌,任黎明,王琴,朱效立,史丽娜,徐秋霞,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
自从1958年美国德克萨斯公司试制了世界上第一块平面集成电路开始算起,在短短的五十余年中,微电子技术及微纳米技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展,创造了人间奇迹.作...
[会议论文] 作者：陈宝钦,徐秋霞,谢常青,刘明,赵珉,吴璇,牛洁斌,刘键,任黎明,王琴,朱效立,李新涛,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
电子束光刻邻近效应校正技术是采用电子束直写光刻技术开展纳米器件和集成电路研制中的关键技术。虽然电子束光刻系统具有纳米级的电子束斑，但由于电子束的电子与抗蚀剂及基片......
[会议论文] 作者：陈宝钦,张立辉,范东升,牛洁斌,刘明,薛丽君,李金儒,汤跃科,王德强,任黎明,龙世兵,陆晶,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
电子束光刻技术是推动微电子和微细加工发展的关键技术,尤其在先进掩模制造和纳米加工领域中,起到不可替代的作用.为满足科研和生产的需要,我们中国科学院微电子研究所微细加...
[会议论文] 作者：陈宝钦[1]赵珉[2]王其祥[3]顾长志[4]杨海方[4]牛洁斌[1]吴璇[1]朱效立[1],
来源：第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会 年份：2010
文章重点介绍应用于标准参考物质样品制造的线曝光图形处理技术、电子束与光学曝光混合光刻技术、高反差高分辨率电子抗蚀剂HSQ工艺技术、邻近效应校正技术等，同时介绍探索性...
[会议论文] 作者：陈宝钦;任黎明;胡勇;龙世兵;陆晶;杨清华;张立辉;牛洁斌;刘明;徐秋霞;薛丽君;李金儒;汤跃科;赵珉;刘珠明;王德强;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系...
[会议论文] 作者：陈宝钦,胡勇,龙世兵,陆晶,杨清华,张立辉,范东升,康晓辉,牛洁斌,刘明,薛丽君,李金儒,汤跃科,赵敏,刘珠明,王德强,任黎明,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻......
[期刊论文] 作者：陈宝钦，刘明，徐秋霞，薛丽君，李金儒，汤跃科，赵珉，刘珠明，王德强，任黎明，胡勇，龙世兵，陆晶，杨清华，张立辉，牛洁斌，ChenBaoqin，LiuMing，XuQiuxia，XueLijun，LiJinru,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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