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[期刊论文] 作者：窦恺, 赵家龙, 靳春明, 孙聆东, 黄世华, 虞家琪, 向卫东,
来源：发光学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：窦恺,张继森,候尚公,许武,张新夷,徐叙瑢,许慧君,周庆复,,
来源：发光学报 年份：1993
本文系统研究了二元分子TTP—O—Pc和TTP—O—（CH2）5—O—Pc的吸收光谱,发射光谱和激发光谱,区分了两组发光谱带的来源, 证实了由TTP到Pc的能量转移,利...
[期刊论文] 作者：赵家龙,高瑛,刘学彦,窦恺,黄世华,虞家琪,梁家昌,高鸿楷,
来源：红外与毫米波学报 年份：1995
用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能......
[期刊论文] 作者：刘畅,吴长景,窦恺,刘志华,何正权,张福丽,庞丽,宋昊跃,葛,
来源：天津农业科学 年份：2019
为探究棘孢木霉CBS433.97(Trichoderma asperellumCBS433.97)的活性代谢产物在促进植物生长与抑制病原菌等方面的功能,本研究初步分离了棘孢木霉代谢产物,并分析了其活性成分...
[期刊论文] 作者：古丽吉米拉·米吉提,王志英,王娜,窦恺,黄颖,刘志,
来源：北方园艺 年份：2013
木霉菌是重要的植物病害生物防治菌，该文在简要介绍木霉菌及其生防机制的基础上，综述了木霉与病原菌的互作关系，通过对营养和空间的竞争来抑制病原真菌的生长和繁殖，木霉菌对病原......
[期刊论文] 作者：窦恺,张继森,田明真,张家骅,靳春明,赵家龙,黄世华,虞家琪,
来源：发光学报 年份：2004
新型永久光谱烧孔材料及机理研究窦恺，张继森，田明真，张家骅，靳春明，赵家龙，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）利用永久光谱烧孔（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔｓｐｅｃｔｒａｌｈｏｌｅｂｕｒｎｉｎｇ（ＰＳＨＢ））...Study on a......
[期刊论文] 作者：赵家龙,高瑛,刘学彦,窦恺,黄世华,虞家琪,梁家昌,高鸿楷,
来源：光学学报 年份：1995
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局......
[会议论文] 作者：余传金,范丽丽,孙佳楠,高金欣,王猛,窦恺,岑佳美,陈捷,
来源：中国植物病理学会2015年学术年会 年份：2015
木霉菌(Trichoderma spp.)具有非常强的拮抗病原真菌特性，同时能促进植物生长和防御机制而被广泛应用于防治植物病害.疏水蛋白泛指覆盖在微生物细胞表面的一些疏水物质(hydrophobic substances)，分子量一般比较小，大小在10 kDa左右，在保守位置上含8个半胱氨酸残基形......
[期刊论文] 作者：靳春明,周方策,赵家龙,窦恺,黄世华,虞家琪,张岩,肖良质,
来源：发光学报 年份：1993
本文研究了ＢｉＩ３半导体溶胶的光学性质。进一步证实，在ＢｉＩ３胶体样品中，真实的ＢｉＩ３半导体微晶粒子的吸收被强的Ｉ＾－３离子吸收掩盖了。通过测量激发光谱，确定了ＢｉＩ３微晶的吸收位置。用光谱数据计算得到的......
[期刊论文] 作者：古丽吉米拉·米吉提,范海娟,刘志华,王娜,窦恺,黄颖,王志英,,
来源：中国农学通报 年份：2012
为了深入研究生物防治菌棘孢木霉T4菌株小分子疏水蛋白hyb2的功能,基于已知小分子疏水蛋白基因hyb2部分cDNA序列设计引物,分别以棘孢木霉T4菌株菌丝体总mRNA和基因组DNA为模...
[会议论文] 作者：余传金;高金欣;窦恺;王猛;孙佳楠;陆志翔;李雅乾;陈捷;,
来源：中国植物保护学会2016年年会 年份：2016
玉米弯孢叶斑病是我国玉米产区的主要病害之一,通过生物防治技术系统诱导玉米免疫反应,抵抗叶斑病菌侵染,是实现玉米病害绿色防控的重要途径.木霉菌分布广泛,已普遍用于...
[期刊论文] 作者：靳春明,秦伟平,赵家龙,周方策,窦恺,刘俊业,黄世华,虞家琪,
来源：半导体学报 年份：1991
本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.In this paper, DFWM and...
[期刊论文] 作者：孙聆东，赵家龙，靳春明，窦恺，陈一民，黄世华，虞家琪，席淑珍，李磊,
来源：发光学报 年份：1996
利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了ＣｄＳｘＳｅ（１－ｘ）纳米微晶的辐射跃迁过程．由Ｖａｒｓｈｎｉ公式，拟合了微晶的吸收峰随温度的变化．根据变温发射光谱，研究了发光峰位置和温度的依赖关系，并分析了吸收峰和发......
[期刊论文] 作者：赵家龙,靳春明,高瑛,刘学彦,窦恺,黄世华,虞家琪,梁家昌,高鸿楷,
来源：半导体学报 年份：1996
利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热......
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