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[期刊论文] 作者：李红,孙哲,胡志富,赵昌,李月,孙朝军,
来源：中华骨科杂志 年份：2017
目的探讨采用自制股骨远端髓外定位截骨模板在初次全膝关节置换术中对股骨远端进行定位截骨的准确性及可行性。方法2015年9月至2015年12月应用自制股骨髓外定位截骨模板进行股骨远端截骨全膝关节置换的晚期骨关节炎或类风湿关节炎连续病例20例（髓外定位组），男4例，女......
[期刊论文] 作者：杜光伟,李佳,胡志富,冯志红,宋旭波,,
来源：半导体技术 年份：2016
包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模...
[期刊论文] 作者：孙朝军,胡志富,李红,李超,孙哲,尹坤,
来源：中华创伤骨科杂志 年份：2013
目的 探讨大龄儿童肱骨远端C型骨折经掀起肱三头肌入路手术治疗的疗效. 方法 2008年3月至2011年11月对15例大龄儿童肱骨远端C型骨折患者采用经掀起肱三头肌入路切开复位钢板螺钉内固定治疗,男8例,女7例；年龄12～15岁,平均13.2岁.均为闭合性骨折.骨折按照AO分型:C1......
[期刊论文] 作者：胡志富,张军,濮永革,杨珍珍,傅荣校,,
来源：浙江档案 年份：2011
近年来，学校信息化发展迅速，形成了大量有价值的电子文件。这些电子文件基本由各部门分散保管在其相对独立的系统中，没有统一的机构对其进行集中管理。因此，如何保证这些电子文件......
[期刊论文] 作者：刘亚男,杜光伟,胡志富,孙希国,崔玉兴,,
来源：半导体技术 年份：2016
为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进...
[期刊论文] 作者：刘亚男,杜光伟,胡志富,孙希国,崔玉兴,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用减小栅长的方法可以显著提高In P高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段。分别制备了不同栅长的InP HEMT器件,采用T型栅工...
[期刊论文] 作者：胡志富,李红,孙朝军,孙哲,赵昌,许靖,景泽峰,
来源：中华关节外科杂志:电子版 年份：2020
目的观察30例闭合复位股骨近端防旋髓内钉(PFNA)治疗80岁以上高龄股骨转子间骨折的临床效果,总结围手术期处理及手术的经验体会。方法回顾性分析2017年10月至2019年2月间大理...
[期刊论文] 作者：杜光伟,胡志富,刘亚男,孙希国,崔玉兴,,
来源：微波学报 年份：2015
包含新技术、新材料的非传统器件的不断涌现使现有的模型已不能完全表征THz器件的特性。而采用神经网络建模的方法,可极大地提高建模的效率和精确度,解决一系列传统模型所无...
[期刊论文] 作者：李红,孙朝军,胡志富,孙哲,赵昌,李月,劳汉昌,
来源：中华关节外科杂志（电子版） 年份：2017
目的比较全膝关节置换术行股骨远端髓外定位与髓内定位截骨术后X线影像学评估。方法回顾性分析大理大学第一附属医院关节外科收治的12例行双侧人工全膝关节置换术的患者病例...
[期刊论文] 作者：胡志富,崔玉兴,杜光伟,方家兴,武继斌,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2014
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常...
[会议论文] 作者：陈亚培, 赵晓冬, 徐跃杭, 胡志富, 杜鹏博, 徐锐敏,,
来源： 年份：2004
毫米波GaN HEMT大信号热电缩放模型对功率放大器设计有着重要意义,本文基于Angelov大信号模型,通过对漏源电流和非线性电容特性参数进行缩放研究,建立了毫米波GaN HEMT热电缩...
[期刊论文] 作者：吴睿,张丽蓉,胡志富,于成和,张若鹏,罗大极,
来源：大理大学学报 年份：2019
目的:探讨过夜培养对不同质量冻融胚胎、囊胚治疗结局的影响。方法:回顾性分析大理大学第一附属医院开展的1 326个冻融胚胎移植(FET)周期的患者资料。根据实验目的,分为过夜...
[期刊论文] 作者：孙哲,孙朝军,李红,胡志富,赵昌,许靖,李月,杨爱京,
来源：中国感染与化疗杂志 年份：2021
目的探讨初次人工全膝关节置换后假体周围感染的危险因素,为预防假体周围感染提供参考。方法回顾分析大理大学第一附属医院2012年1月—2019年1月初次单侧人工全膝关节置换术后并发假体周围感染的患者资料,共21例作为感染组,随机选取同期于该院行人工全膝关节置......
[期刊论文] 作者：王志明, 黄辉, 胡志富, 赵卓彬, 崔玉兴, 孙希国, 李,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
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[会议论文] 作者：张志国,冯震,武继宾,王勇,胡志富,蔡树军,杨克武,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数据利用ICCAP建立了器件的大信号模型。利用ADS软件仿真优化了GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9......
[期刊论文] 作者：王志明,黄辉,胡志富,赵卓彬,崔玉兴,孙希国,李亮,付兴昌,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
研制了一种T型栅长为90nm的InP基In0.52Al0.48 As/In0.65 Ga35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2x25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流...
[期刊论文] 作者：王志明,黄辉,胡志富,赵卓彬,崔玉兴,孙希国,李亮,付兴昌,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
研制了一种 T 型栅长为90 nm 的 InP 基 In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25 μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最...
[期刊论文] 作者：张志国,王民娟,冯志红,周瑞,胡志富,宋建博,李静强,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2009
GaN微波单片集成电路（MMIC）具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点，具有诱人的应用前景，成为国内外许多研究机构研究热点。与GaAs微波功率......
[期刊论文] 作者：王志明,黄辉,胡志富,赵卓彬,王旭东,罗晓斌,刘军,杨宋源,吕昕,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
A quantitative comparison of multiline TRL(thru-reflect-line) and LRM(line-reflect-match) on-wafer calibrations for scattering parameters(S-parameters) measurem...
[会议论文] 作者：杜鹏搏,张务永,张力江,王彪,张志国,武继斌,尹甲运,胡志富,付兴昌,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用...
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