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[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：微纳电子技术 年份：2002
从GaAs/AlAs量子阱的量子限制、能带混合和隧穿共振中发现了新的异质谷间转移电子效应.用它制成了定位精度高的高效谷间电子布居控制极.把这种控制极设置于耿氏有源层的阴极...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体情报 年份：2001
应用AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,求出了异质结能带和二维电子气分布.研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：微纳电子技术 年份：2004
综述了GaN HFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体情报 年份：1997
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间的转移电子效应。运用这一新物理效应设计了新的异质谷间转移电子器件。给出了器件连续波和脉冲工作时的频振荡特性。使用多能...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
从AlGaN／GaN沟道阱电子状态出发，深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒，来抬高势垒和增大势垒宽度，强化沟道阱的量子限制。强调了......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体杂志 年份：1997
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间转移电子效应。运用这一新物理效应设计制成了新的异质谷间转移电子器件。通过二级管的振荡和放大性能测试从实验上研究了能带...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体杂志 年份：1990
本文从单带双谷模型出发，使用隧道谐振方法研究了GaAs/AlAs量子阱在电场作用下的量子限定Stark效应。计算了电子和空穴能级的Stark效应，讨论了各种不同状态所产生的不同的Stark...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
运用依赖能量的异质界面δ散射势和多能谷有效质量方程计算了GaAs/AlAs异质结构中的能带混合和电子隧穿共振.结合能带混合隧穿共振理论和Monte Carlo模拟计算,编制异质谷间转...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
锗硅超晶格和多孔硅的大量实验分析表明，其发光性能不能间接带隙来解释，也不同于直接光跃迁。本文通过波函数的谐波分析和表面化学键诱生的能带混合研究得出这两种材料中都要能......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：电子学报 年份：1998
使用量子阱能带混合隧穿共振理论及ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟方法计算了ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性。...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态，发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF。等离子体处理对AlGaN／GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了AlGaN／GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化，比较了能带带阶和极化电荷对沟道阱能带和电子气特性的影响，研究了在......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
提出了二维表面态和表面缺陷层构成的A1GaN/GaN HFET中的陷阱模型。自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数。发现表面高密度...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
运用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ理论模拟，二极管隧穿伏安特性，器件振荡性能和射频输入信号激励下的放大功能研究了异质谷间转移电子器件中能带混保量子阱的触发功能，理论和实验研究发现当能带混合量子阱中......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文使用单带双谷模型计算了通过AlGaAs势垒的隧道电流的压力系数.计算中考虑了能谷的非抛物线性,Г,X两个能谷的贡献以及电场的作用,说明了电流压力系数随电场增强而下降以...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2007
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：电子学报 年份：1990
本文从单带双谷模型出发计算了GaAs/AlAs异质结量子阱中的隧道电流同外加电压之间的关系。研究了隧道电流同量子阱结构和电场间的关系以及隧道过程中的状态转换效应。在此基...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：电子学报 年份：1992
本文引入量子力学波阻抗和谷间传输比两个概念来求解多能谷隧穿方程,得到了类似于传输线理论中的反射公式.把矩阵的解算简化成波阻抗和谷间传输比的计算,减少了计算量并提高...
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