论文部分内容阅读
运用依赖能量的异质界面δ散射势和多能谷有效质量方程计算了GaAs/AlAs异质结构中的能带混合和电子隧穿共振.结合能带混合隧穿共振理论和Monte Carlo模拟计算,编制异质谷间转移电子器件的模拟软件.用该软件模拟了器件的直流伏安特性和射频工作.由模拟结果与测量结果的对比中确定出δ散射势参数和隧穿时间.通过模拟发现了新的弛豫振荡模式.研究了弛豫振荡模的各种振荡特性,给出了器件的优化设计.