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[期刊论文] 作者：郭伟玲,崔德胜,崔碧峰,闫薇薇,刘莹,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2011
用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED, 调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温。 对样品进行光学测试, 发现黄粉与橙粉的比例小于7时, 黄光部分的峰值约590 nm, 比例大于7时, 黄光部分的峰值约570 nm; 显色指数和流明效率都是随色温的增大先上升后下降, 5 521 ......
[期刊论文] 作者：崔德胜,郭伟玲,崔碧峰,丁艳,闫薇薇,吴国庆,,
来源：发光学报 年份：2012
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通...
[期刊论文] 作者：丁天平,郭伟玲,崔碧峰,尹飞,崔德胜,闫薇薇,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2011
制备了两种1 W白光功率发光二极管(LED),这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片,涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成。对制备好的LED进行了变温光学特性测试,温...
[会议论文] 作者：郭伟玲,尹飞,崔碧峰,丁天平,闫薇薇,崔德胜,
来源：海峡两岸第十七届照明科技与营销研讨会 年份：2010
半导体照明光源具有节能、环保、安全、易驱动、体积小、寿命长、色彩丰富、可靠性高等优点，经过40多年的发展，发光效率和功率得到了大幅度的提高。本文主要研究了电流对1W大功......
[期刊论文] 作者：崔德胜,郭伟玲,崔碧峰,丁天平,尹飞,闫薇薇,,
来源：光学学报 年份：2011
对GaN基大功率蓝光发光二极管(LED)分别施加了-200,-400,-600,-800,-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品电学参数和光学参数的变化,研究了静电对L...
[期刊论文] 作者：吴国庆,郭伟玲,朱彦旭,刘建朋,崔德胜,闫薇薇,,
来源：光电子.激光 年份：2012
对4种1W白光功率LED进行了100～900mA的变驱动电流光学特性试验。分析了荧光粉转换效率随驱动电流变化的内在机理,一是由于驱动电流增大导致蓝光芯片内量子限制斯塔克效应引起...
[期刊论文] 作者：张小琴,蔡小五,曾传滨,闫薇薇,赵海涛,刘海南,罗家俊,
来源：微电子学与计算机 年份：2020
基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载...
[期刊论文] 作者：郭伟玲,贾学娇,尹飞,崔碧峰,高伟,刘莹,闫薇薇,,
来源：半导体学报 年份：2011
The high power light emitting diodes(LEDs) based on InGaN and AlGaInP individually are tested on line at temperatures from -30 to 100℃.The data are fitted to m...
[期刊论文] 作者：于猛,曾传滨,闫薇薇,李博,高林春,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
分析了一款基于0．35μmPDSOI工艺的锁相环（PLL）电路的抗单粒子瞬变（SET）能力，利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响的可能性．电路级仿真采用优化过的SET注入模型......
[期刊论文] 作者：郭伟玲,闫薇薇,朱彦旭,刘建朋,丁艳,崔德胜,吴国庆,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
In order to investigate their electrical characteristics,high-voltage light-emitting-diodes(HV-LEDs) each containing four cells in series are fabricated.The ele...
[期刊论文] 作者：闫薇薇,高林春,李晓静,赵发展,曾传滨,罗家俊,韩郑生,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
In this study, we investigate the single-event transient(SET) characteristics of a partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI) metal-oxide-semiconductor(MOS)...
[会议论文] 作者：曾传滨,高林春,闫薇薇,杨娜,赵发展,刘刚,罗家俊,韩郑生,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述...
[期刊论文] 作者：张颢译,曾传滨,李晓静,闫薇薇,倪涛,高林春,罗家俊,赵发展,韩郑生,
来源：微电子学与计算机 年份：2021
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果 表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值△I/I=1.9％,远小于PDSOI的△I/I=24.1％.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使......
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