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[期刊论文] 作者：赵云,何承发,郭旗,卫平强,兰博,崔江维,李茂顺,费武雄,陈,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等，在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计。根据U型管两端水平液面恒等原理，在32℃和60℃下比对筛选出具有较......
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,李茂顺,崔江维,王义元,吾勤之,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vo...
[期刊论文] 作者：孙静,郭旗,郑齐文,崔江维,何承发,刘海涛,刘许强,刘梦新,,
来源：核技术 年份：2019
绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照响应特性,包括辐照偏置对SO......
,Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradi
[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,周航,余德昭,余学峰,陆妩,郭旗,任迪远,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Functional failure mode of commercial deep sub-micron static random access memory (SRAM) induced by total dose irradiation is experimentally analyzed and verifi...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,郭旗,卫平强,兰博,崔江维,李茂顺,费武雄,陈,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等,在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计.根据U型管两端水平液面恒等原理,在32℃和60℃下比对筛选出具有较...
[会议论文] 作者：王改丽,郑玉展,高博,李茂顺,崔江维,余学峰,任迪远,孙静,文林,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理...
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,范雪,肖尧,席善斌,王信,邓,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
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[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,吾勤之,刘伟鑫,李豫东,李茂顺,崔江维,王,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 年份：2010
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[会议论文] 作者：王改丽,余学峰,任迪远,郑玉展,孙静,文林,高博,李茂顺,崔江维,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理研究，并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.......
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,范雪,肖尧,席善斌,王信,邓伟,,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电...
[期刊论文] 作者：李茂顺,余学峰,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,陈睿,费武雄,赵云,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适...
[会议论文] 作者：王信[1]陆妩[2]郭旗[2]吴雪[1]刘默涵[1]姜柯[1]崔江维[2],
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功...
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunct
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,王信,邓伟,郑齐文,范雪,肖尧,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon–germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe H...
[期刊论文] 作者：崔江维,郑齐文,余学峰,丛忠超,周航,郭旗,文林,魏莹,任迪远,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We investigate how γ exposure impacts the hot-carrier degradation in deep submicron NMOSFET with different technologies and device geometries for the first tim...
[期刊论文] 作者：李培,郭红霞,郭旗,张晋新,肖尧,魏莹,崔江维,文林,刘默寒,王信,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser m...
[期刊论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,崔江维,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25G...
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,李茂顺,崔江维,王义元,吾勤之,刘伟鑫,,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vo...
Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static nois
[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,刘梦新,苏丹丹,周航,马腾,余学峰,陆妩,郭旗,赵发展,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
In this work, the total ionizing dose(TID) effect on 130 nm partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) static random access memory(SRAM) cell stability is...
[会议论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,崔江维,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2010
对10位双极模数转换器(ADC)在不同偏压和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火效应进行了研究。结果显示：模数转换器对偏置条件和辐照剂鼙率都很敏感。高剂量率辐照时，电路功能正常，各功能参数变化较小;而低剂量率辐照时，各参数变化显著，超出器件允许的范围，器件功能......
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,汪波,马武英,玛丽娅,周航,,
来源：物理学报 年份：2014
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结...
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