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[期刊论文] 作者：李述体,曹健兴,范广涵,章勇,郑树文,苏军,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
The growth of GaP layer on GaN with and without buffer layers by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) has been studied. Results indicate that the Ga...
[会议论文] 作者：尹以安, 毛明华, 张保平, 刘宝林, 李述体,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议论文集 年份：2010
...
[期刊论文] 作者：王玺涵,李述军,贾明途,郝玉琳,杨锐,郭正晓,
来源：第十四届全国钛及钛合金学术交流会 年份：2010
采用添加造孔剂的粉末冶金方法制备高强度低模量大块多孔医用Ti-24Nb-4Zr-8Sn(质量分数，％，简称Ti2448)合金。采用扫描电镜(SEM)、压缩试验和弹性模量仪对其形貌特征、力学性能进行研究。结果表明:由于造孔剂PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)具有较好的塑性，在冷轧成形过程中......
[期刊论文] 作者：王玺涵,李述军,贾明途,郝玉琳,杨锐,郭正晓,,
来源：材料研究学报 年份：2010
将轧制成形与真空烧结相结合制备出大块多孔Ti-24Nb-4Zr-8Sn(%,质量分数,简称Ti2448)材料,研究了冷轧形变量(20%-40%)和烧结温度(1100-1300℃)对其孔隙率、平均孔径、压缩强...
[会议论文] 作者：曹健兴,李述体,范广涵,章勇,尹以安,郑树文,梅霆,苏军,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的G......
Improvement of the light output and contact resistance of InGaN-based light-emitting diodes based on
[期刊论文] 作者：黄俊毅,范广涵,郑树文,牛巧利,李述体,曹健兴,苏军,章勇,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper reports that highly transparent and low resistance tantalum-doped indium tin oxide(Ta-doped ITO) films contacted to p-type GaN have been prepared by...
[会议论文] 作者：王玺涵[1]李述军[1]贾明途[1]郝玉琳[1]杨锐[1]郭正晓[2],
来源：第十四届全国钛及钛合金学术交流会 年份：2010
采用添加造孔剂的粉末冶金方法制备高强度低模量大块多孔医用Ti-24Nb-4Zr-8Sn(质量分数，％，简称Ti2448)合金。采用扫描电镜(SEM)、压缩试验和弹性模量仪对其形貌特征、力学性能进...
[会议论文] 作者：周天明,李述体,范广涵,孙慧卿,周昕妹,董海平,王立辉,张康,卢太平,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂，对p型GaP的掺杂生长进行了研究，在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3，迁移率为8.6cm2N·S的p型......
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