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[会议论文] 作者：黄瀛,韦小凤,符跃春,覃嘉媛,何欢,沈晓明,陆书龙,边历峰,阮孟财,
来源：第六届全国材料与热加工物理模拟及数值模拟学术会议 年份：2015
采用数值模拟的方法，分析了脉冲激光沉积(PLD)制备InAlN薄膜过程中激光烧蚀InAl靶材表面温度场的分布，计算了激光功率密度和重复频率对温度场的影响以及在一定条件下靶材表...
[会议论文] 作者：黄建亮[1]马文全[2]张艳华[2]曹玉莲[2]刘珂[2]黄文军[2]陆书龙[3],
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
本文报道了采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb衬底生长InAs/GaSb二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(＜2微米),短波(2-3微米)以及中波(3-5微米)红外探测.在77...
[会议论文] 作者：顾俊[1]吴渊渊[2]杨文献[2]李宝吉[2]代盼[2]罗向东[3]陆书龙[2]杨辉[2],
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18％,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题；同时,依...
[会议论文] 作者：何巍[1]陆书龙[1]董建荣[1]赵勇明[1]任雪勇[1]杨辉[1]朱浩淼[2]陈学元[2],
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
本文利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光(PL)光谱研究了利用MOCVD在Ge衬底上生长的GaInP外延层的结构和光学性质.HRTEM图像结果表明没有任何结构缺陷存在.实验中发现...
[会议论文] 作者：李雪飞,代盼,季莲,谭明,内田史朗,吴渊渊,艾尔肯·阿不都瓦伊提,马丽娅·黑尼,郭旗,边立峰,陆书龙,杨辉,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
本文研究了1-MeV 的电子辐照对全固态分子束外延设备生长GaInP/GaAs//InGaAsP/InGaAs 四结室温键合太阳电池性能的影响。在经过剂量为1×1015e/cm2的1MeV 电子辐照之后，电池效率衰减到原来的85％，且电池性能的降低主要是受开路电压的影响。光谱响应及透射电镜结果表......
[会议论文] 作者：李雪飞[1]代盼[1]季莲[1]谭明[1]内田史朗[2]吴渊渊[1]艾尔肯·阿不都瓦伊提[3]马丽娅·黑尼[3]郭旗[3]边立峰[1]陆书龙[1]杨辉[1],
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
本文研究了1-MeV 的电子辐照对全固态分子束外延设备生长GaInP/GaAs//InGaAsP/InGaAs 四结室温键合太阳电池性能的影响。在经过剂量为1×1015e/cm2的1MeV 电子辐照之后，电...
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