【摘 要】
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InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18%,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题;同时,依
【机 构】
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中科院苏州纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215125
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InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18%,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题;同时,依靠自发极化,InAlN/GaNhemt器件拥有高载流子浓度等优点。高质量InAlN材料的生长是目前制约InAlN/GaNhemt器件应用的主要因素,InN与AlN巨大的热稳定性差异,使得InAlN合金困难。同时,InN键能较低,意味着低温生长才能使In原子并入InAlN外延层,但是低温生长会使原子迁移率下降,影响二维成核;低温也会引起相分离现象,较难得到高质量单一相的InAlN外延材料。
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