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[期刊论文] 作者：廖良生,鲍希茂,王水凤,闵乃本,
来源：半导体学报 年份：1996
在自然存放，光辐照以及高温氧化等条件下，通过与常见多孔硅发光性能的对比，发现硅基多孔β－ＳｉＣ具有稳定的蓝光发射。这种发光的稳定性来源于多孔β－ＳｉＣＫ Ｉ－ｃ键的化学稳定性。......
[期刊论文] 作者：杨阳,李菡滢,陈慧兰,鲍希茂,
来源：高等学校化学学报 年份：2002
3种不同的荧光染料被分别嵌入硅基多孔氧化铝模板中,并且在室温下得到了蓝光、绿光和红光波长的荧光发射. 实验中同时观测到上述荧光光谱的蓝移现象. 研究结果表明, 荧光染料...
[期刊论文] 作者：吴俊辉,邹建平,濮林,朱青,鲍希茂,
来源：化学物理学报 年份：2000
电子束蒸发在硅衬底上的多晶铝膜多孔型阳极氧化得到的多孔列阵排布与体材料单晶 铝氧化结果比较，有序度存在很大差异，导致这种差异的原因，除了氧化时间、应用电压、电解液等 电......
[期刊论文] 作者：杨海强,鲍希茂,杨志锋,洪建明,
来源：半导体学报 年份：1993
本文提出了一种形成多孔硅发光图形的方法。以淀积的Al作掩膜,通过硅自注入使样品选区非晶化。阳极处理使单晶区生成发光区,非晶区成为不发光区,形成多孔硅发光图形,分辨率达...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,嵇福权,黄信凡,陈南斗,
来源：半导体学报 年份：1980
激光退火可以使离子注入半导体的损伤层再结晶,从而获得完整的单晶结构,引起了人们很大的重视.是否可以采用激光退火来控制半导体单晶中的缺陷呢?已报道的结果表明,激光退火...
[期刊论文] 作者：郑祥钦,杨海强,阎锋,鲍希茂,,
来源：科学通报 年份：1993
对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之...
[期刊论文] 作者：刘湘娜,何宇亮,鲍希茂,徐刚毅,眭云霞,,
来源：物理学报 年份：2001
研究了掺杂纳米硅薄膜(nc-：Si：H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态。样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成，为两相结构，即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中。对掺磷的nc-......
[期刊论文] 作者：柳承恩,刘建林,王峻岭,陈红明,鲍希茂,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：2004
用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色...
[期刊论文] 作者：刘湘娜,徐刚毅,眭云霞,何宇亮,鲍希茂,
来源：物理学报 年份：2001
研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 ....
[期刊论文] 作者：佟嵩,刘湘娜,王路春,阎峰,鲍希茂,
来源：物理学报 年份：1997
在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结......
[期刊论文] 作者：邹建平,吴俊辉,朱青,濮林,朱健民,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长...
[期刊论文] 作者：沈今楷,吴兴龙,袁仁宽,谭超,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2001
Ge- Si O2 共溅射薄膜分别在 O2 、N2 和空气中退火后 ,在 Xe灯 2 5 0 nm线激发下 ,均观测到位于 40 0和 30 0 nm的紫、紫外光发射 (PL) .傅里叶变换红外吸收谱 (FT- IR)表明...
[期刊论文] 作者：易争平,邹建平,杨阳,陈慧兰,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2000
制备了硅基多孔氧化铝 - 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠复合发光材料 .PL谱表明 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后 ,发光峰位相对于其在膜表面有明显蓝移 .FT- IR谱进...
[期刊论文] 作者：吴晓华,鲍希茂,李宁生,廖良生,郑祥钦,
来源：半导体学报 年份：2000
单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ 时，可以获得波长约为４４７ｎｍ 的蓝光发射， 而且该......
[期刊论文] 作者：吴晓华,鲍希茂,李宁生,廖良生,郑祥钦,
来源：半导体学报 年份：2004
单晶硅中注入高剂量的C+离子，注入能量为50keV，经高温退火后形成β-SiC沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β-SiC，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于25V时，可以获得波长约为44......
[期刊论文] 作者：佟嵩,刘湘娜,高婷,尹浩,陈逸君,鲍希茂,
来源：物理学报 年份：1999
用等离子体增强辉光放电法制成ａＳｉ∶Ｈ∶Ｏ薄膜，未经任何后处理过程，观察到峰值分别位于３４０—３７０，４００—４３０以及７４０ｎｍ的三个光致发光（ＰＬ）带．这种紫外光发射既强又稳定，其强度与薄膜中的氧含量紧密相关，而后者可......
[期刊论文] 作者：黄信凡,鲍希茂,蒋锡平,文婧,褚一鸣,
来源：半导体学报 年份：1986
本文就Ar~+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度N_t和界面态陷阱密...
[期刊论文] 作者：廖良生,鲍希茂,郑祥钦,李宁生,闵乃本,
来源：科学通报 年份：1996
由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有...
[期刊论文] 作者：廖良生,鲍希茂,郑祥钦,李宁生,闵乃本,
来源：半导体学报 年份：1996
对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝......
[期刊论文] 作者：官浩,阎锋,鲍希茂,杨海强,吴晓薇,洪建明,
来源：半导体学报 年份：1993
多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。...
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