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[期刊论文] 作者：陈文会,朱长纯,
来源：现代电子技术 年份：2003
用AT89C系列单片机在5英寸TFT-LCD液晶显示器上加装遥控系统,使之更容易被操作.硬件设计了遥控发射、遥控接收和TFT-LCD驱动电路.软件设计主要是对遥控发射、遥控接收电路进...
[期刊论文] 作者：陈文会, 朱长纯,
来源：现代电子技术 年份：2004
依据电流为判据,将电机保护分解为过流、负序和零序保护3大类,由此构成的综合保护可基本覆盖电动机的所有常见故障类型.最后提出了电机数字式综合保护算法,采用超低功耗DSP单...
[期刊论文] 作者：朱长纯,李天英,
来源：今日电子 年份：1995
一、概述 自80年代以来,以半导体为基础的微电子工业正在经历一场深远的根本的改变,以真空微电子学为代表的这场变革正取得十分迅猛的发展。至今,国际真空微电子学会议...
[期刊论文] 作者：袁寿财,朱长纯,
来源：微电子学与计算机 年份：2002
文章给出了两种优化的4-2压缩器电路结构,一种是选用不同结构的异或门电路对传统的异或门4-2压缩器结构进行优化,另一种是通过单值到双值逻辑的转换用传输门搭建的4-2压缩器...
[期刊论文] 作者：吴春瑜,朱长纯,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知Ｃ－Ｖ曲线变容管的几个主要设计参数。...
[期刊论文] 作者：吴春瑜,朱长纯,
来源：微电子学与计算机 年份：1996
应用改进的超突变绿变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参起来 特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。...
[期刊论文] 作者：李炳乾,朱长纯,
来源：半导体杂志 年份：1998
本文设计了一种新型硅基ＭＥＭＳ集成光强调制型光波导加速度传感器，在同一 集成了分束器、悬臂梁、质量块、光波导、光探测器等元件，解决了光纤传感器向微型化发展时遇到的装配困难及......
[期刊论文] 作者：李炳乾,朱长纯,
来源：半导体杂志 年份：1999
阐述了集成智能传感器的概念，对集成智能传感器理论和技术等方面的国际研究热点作了分析，介绍了几种具有代表性的智能传感器，并提出了我国应采取的对策。...
[期刊论文] 作者：刘卫华,朱长纯,
来源：真空电子技术 年份：2006
影响碳纳米管阴极场发射稳定性和寿命的主要因素有真空度、场发射过程中的热效应以及场发射体对场发射电流的承载能力等。本文从外部特性的角度，对丝网印刷碳纳米管阴极老炼前......
[期刊论文] 作者：袁寿财,朱长纯,
来源：光机电信息 年份：2002
1引言在21世纪信息化时代的今天,人们已进入了数字时代.计算机内部核心以0与1格式的运算速度伴随着半导体技术的进步,现已达到每秒千兆位以上.相比之下,相对于数字的模拟技术...
[期刊论文] 作者：卢文科,朱长纯,等,
来源：电子学报 年份：2002
利用声表面波器件构建了小波变换及重构器件，为小流变换及重构器件开辟了一种新的制造途径，本文主要论述声表面波式小波变换及重构器件的工作原理，并对信号源内阻对声表面波器件......
[期刊论文] 作者：朱长纯,刘兴辉,
来源：发光学报 年份：2005
碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料,利用碳纳米管作阴极的场致发射平板显示器件的研究是目前显示技术领域的研究热点之一.报道了场发射显示器(FED...
[期刊论文] 作者：刘卫华,朱长纯,
来源：液晶与显示 年份：2008
制作三极型场发射阵列（FEA），传统上都依赖薄膜工艺及光刻技术。这在很大程度上限制了印刷型碳纳米管阴极的优势。通过改进全丝网印刷工艺，包括一项改进的栅极烧结，工艺和一项洁网......
[期刊论文] 作者：史永胜,何伟,朱长纯,,
来源：液晶与显示 年份：2008
基于隧穿效应的双势垒模型，采用Sol—Gel法在ITO玻璃基底上制备了SiO2涂层碳纳米管阴极，利用SEM对阴极的形貌、结构进行分析，并对场发射性能、发射稳定性与发光特性进行研究，获得......
[期刊论文] 作者：张秀霞,朱长纯,,
来源：西安交通大学学报 年份：2006
设计了一种新型结构的场发射碳纳米管发光管，采用热解法直接生长在钨丝上的碳纳米管作为发光管阴极，获得了新的碳纳米管生长工艺．扫描电子显微镜的表面形貌分析表明，钨丝上碳纳米......
[期刊论文] 作者：袁寿财,朱长纯,
来源：微电子学与计算机 年份：2002
文章提出了一种基于子电路的IGBT模型,并对IGBT的温度特性进行模拟.用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效果.用SPICE的LEVEL_8模型,确保模拟的精确性...
[期刊论文] 作者：朱长纯,王海笑,
来源：传感技术学报 年份：1994
本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压...
[期刊论文] 作者：吴桔生,朱长纯,
来源：传感技术学报 年份：1995
介绍用集成电路微细加工技术研制出的一种新型超薄平面结构的电涡流传感器探头。用理论模拟对线圈半径与绕向进行设计，并配制了适宜的二次电路，制造出微位移测试样机。同传统结......
[期刊论文] 作者：袁寿财,朱长纯,
来源：光电子技术 年份：2000
目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一......
[期刊论文] 作者：皇甫鲁江,朱长纯,
来源：光电子技术 年份：1996
本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅......
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