搜索筛选:
搜索耗时0.7763秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 113 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈辰,陈堂胜,任春江,薛舫时,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工...
[期刊论文] 作者：陈堂胜,焦刚,薛舫时,李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
GaN有较GaAs更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率,AlGaN/G aN异质结构不仅具有较GaAs PHEMT中AlGaAs/InGaAs异质结构更大的导带偏移,而且在 异质...
[会议论文] 作者：任春江,薛舫时,陈辰,陈堂胜,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工...
[会议论文] 作者：焦刚,陈堂胜,薛舫时,李拂晓,
来源：2003全国微波毫米波会议 年份：2003
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的纯化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz、V=30V时输出功率28.93dBm,输出功......
[期刊论文] 作者：韩春林,薛舫时,高建峰,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基R...
[期刊论文] 作者：孔月婵,薛舫时,周建军,李亮,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后...
[期刊论文] 作者：薛舫时,邓衍茂,张崇仁,陈宗圭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
使用Gunn器件作为X电子的探测器研究了直接能隙/间接能隙(Direct Gap/Indirect Gap,简作“D/I”)异质结构在电场作用下的谷间转移电子效应。把这种异质结构制作在Gunn器件的...
[会议论文] 作者：韩春林;薛舫时;高建峰;陈辰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连...
[期刊论文] 作者：薛舫时,孔月婵,李忠辉,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气...
[期刊论文] 作者：周豪慎,薛舫时,刘良俊,黄永南,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本文讨论了SU(N.M)的空间对称性和布里渊区经折叠后的特殊性质。使用分区变分法计算了超薄层超晶格(GaAs)_n/(AlAs)_n(n=1,2,3)的能带,运用四个势场调整参数所算出的能带和实...
[期刊论文] 作者：薛舫时,杨乃彬,陈堂胜,孔月婵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL.在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程......
[期刊论文] 作者：薛舫时,杨乃彬,陈堂胜,孔月婵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL.在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程......
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,耿涛,薛舫时,陈辰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后，器件击穿电压由80V提高到了180V以上，保证了器件...
[期刊论文] 作者：陈堂胜,焦刚,薛舫时,曹春海,李拂晓,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了研制的AlGaN／GaN微波功率HEMT，该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN／GaN异质结构，器件工艺采用了Ti／Al／Ni／Au欧姆接触和Ni／Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化．研制......
[会议论文] 作者：陈堂胜,焦刚,薛舫时,曹春海,李拂晓,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制板结构以及SiN介质钝化.该器件的电流增益截...
[期刊论文] 作者：章灵军,薛舫时,张允强,彭正夫,高翔,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势...
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,陈刚,薛舫时,陈辰,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表...
[期刊论文] 作者：薛舫时,邓衍茂,张崇仁,彭正夫,张允强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的...
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,钟世昌,薛舫时,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MI...
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,李肖,薛舫时,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
对SiC衬底AlGaN/GaNHEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗，不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果...
相关搜索：
