搜索筛选:
搜索耗时0.7720秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 447 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：李玉魁,李德昌,朱长纯,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2005
利用催化剂高温分解在硅衬底上生长了碳纳米管薄膜阴极;采用丝网印刷工艺、高温烧结工艺以及低熔点玻璃封接技术,制作了三极结构 的碳纳米管场致发射显示器器件.采用了新型的...
[期刊论文] 作者：韩建强,朱长纯,等,
来源：西安交通大学学报 年份：2002
基于对影响微悬臂梁谐振器品质因数的内摩擦、支座损耗、氧化层（或镀层）损耗和分子阻尼、空气阻尼和压膜阻尼等阻尼机制的理论分析，计算出不计成型槽阻尼时微梁在高真空、分子阻......
[期刊论文] 作者：封伟,韦玮,朱长纯,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
用合成的十二烷基苯磺酸（ＤＢＳＡ）掺杂的聚苯胺（ＰＡｎ）导电材料和Ｂｅｉ染料组合，采用涂覆技术，研制成ＳｎＯ２／ＰＡｎ膜／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构和Ａｌ／ＰＡｎ导电基片／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构的ｐ－ｎ异质结太阳电池，测定了该电池的光电效应和伏......
[期刊论文] 作者：朱长纯,刘君华,j.m.xu,
来源：半导体学报 年份：1989
木文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射...
[期刊论文] 作者：贺永宁,朱长纯,侯洵,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点。同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研...
[期刊论文] 作者：罗援,朱长纯,关辉,
来源：贵州大学学报：自然科学版 年份：1994
我们利用微电子技术在硅片上制作了微型场致发射冷阴极,并对获得形貌一致的发射阵列尖锥的方法进行了讨论。更多还原...
[期刊论文] 作者：李德昌,史永胜,朱长纯,
来源：液晶与显示 年份：2008
通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例，选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题，使SiO2得以均匀包裹CNT。采用Sol-Gel工艺制备CNT／SiO2复合物阴极，使用TEM对复合物的形貌、结...
[期刊论文] 作者：朱长纯,关辉,罗援,
来源：云南大学学报(自然科学版) 年份：1992
对p型半导体制作的硅锥阵列的场致发射的饱和特性进行了系统的研究,并讨论这种特性设计的新型高灵敏度低噪声的光电探测器的理论依据,为如何利用半导体场致发射开发新型结构...
[会议论文] 作者：李琰,姚振华,朱长纯,
来源：2002年西部地区纳米技术与应用研讨会 年份：2002
本文主要通过分子动力学的方法研究了用碳纳米管构成的纳米机械系统,该机械系统主要使用碳纳米管和苯环分子组成的齿轮构成.使用碳纳米管分子动力学模拟软件MDSIM,我们得到了...
[期刊论文] 作者：朱长纯,刘君华,J.M.Xu,
来源：半导体学报 年份：1989
木文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射...
[会议论文] 作者：朱长纯,李玉魁,韦明,
来源：第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 年份：2001
纳米材料将推动21世纪的科学发展.本文介绍纳米材料的制备方法包括物理方法中的蒸发冷凝法、物理粉碎法及机械合金化法和化学方法中的化学气相法、水热合成法、溶胶-凝胶法、...
[会议论文] 作者：朱长纯,邓宁,夏普红,
来源：第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：李昕,刘君华,朱长纯,
来源：中国科学E辑:工程科学 材料科学 年份：2005
研究了低温低压化学气相沉积(LPCVD)法生长的多壁碳纳米管薄膜对气体的敏感性.结果表明纯的多壁碳纳米管薄膜对气体没有明显的气敏特性,而碳纳米管-二氧化硅复合薄膜表现出对...
[期刊论文] 作者：史永胜,朱长纯,王琪琨,
来源：西安交通大学学报 年份：2003
针对碳纳米管(CNT)阴极场发射均匀性这一关键难题,根据CNT场发射理论制备了一种新型碳纳米管阴极印刷浆料.实验表明:质量分数约为20%的纯化CNT与4.2%的导电氧化物粘接材料混...
[期刊论文] 作者：陈宁,朱长纯,吴一清,单建安,
来源：西安交通大学学报 年份：1998
在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．......
[期刊论文] 作者：朱长纯,袁寿财,李玉魁,
来源：微纳电子技术 年份：2002
综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了...
[期刊论文] 作者：卢文科,朱长纯,刘君华,
来源：仪器仪表学报 年份：2003
介绍了超声波式数字测距仪的原理 ,主要论述了在测量中存在超声波的传播速度随着温度的变化和其它干扰信号对测量的影响问题 ,对这些存在的问题提出了解决的方法...
[期刊论文] 作者：商世广,朱长纯,李昕,,
来源：西安交通大学学报 年份：2008
针对丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜阴极场发射能力差和寿命短等问题,提出了一种能有效改善其场发射性能的高温烧结和等离子轰击后处理方法.同其他方法相比,该方法避免了直接接触......
[期刊论文] 作者：朱长纯, 马强, 田昌会,,
来源：西安交通大学学报 年份：2003
针对单根碳纳米管测试的困难,用丝网印刷的方法制作了一种碳纳米管薄膜电阻.测量其热敏特性表明:其阻值随温度有明显的变化,并具有线性关系,通过线性拟合计算得到其电阻率温...
[期刊论文] 作者：朱长纯,钱伟,谢永桂,
来源：西安交通大学学报 年份：1993
在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上,对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算,得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及...
相关搜索：
