搜索筛选:
搜索耗时0.7719秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 261 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：张旭,谢锡善,董建新,徐重,张通和,
来源：中国有色金属学报 年份：2001
研究了双层辉光放电条件下镍基合金Inconel 625的阴极溅射行为。 结果表明： 多组元镍基合金由于各组元溅射率不同， 产生择优溅射现象。 Mo， Nb等低溅射率元素在阴极表面富集， Ni，......
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,易仲珍,王晓妍,
来源：中国科学E辑 年份：2004
用多次扫描电位法研究了C+Mo双注入和两种元素注入的顺序对抗腐蚀特性的影响，研究了抗腐蚀相生成的条件，观察到细丝状纳米碳化物镶嵌相的形成，以及这些相对抗腐蚀特性的作用，并对......
[会议论文] 作者：李岳[1]张勤[1]陶冶[1]张通和[2],
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
用MEVVA(Metal Vapor Vacuum Arc)离子注入法对增强纤维进行表面处理,形成纳米尺寸的表面改性层,用表面纳米改性的纤维制作树脂基复合材料,并对纳米表面改性纤维增强树脂基复...
[期刊论文] 作者：张通和,王晓妍,赵渭江,薛建明,
来源：中国核科技报告 年份：1996
对Mo,Ti,Mo+C和Ti+C注入H13钢的抗腐蚀特性进行了研究相比较。结果表明,Mo和Ti注入H13钢抗腐蚀力分别比H13钢抗腐蚀力提高10.8倍和125倍。电子显微镜(TEM,SEM)观察发现,钛或...
[期刊论文] 作者：吴瑜光,汪新福,张通和,王文勋,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文用背散射和中子活化分析技术测量了砷注入硅中绝对剂量值.对四种类型注入机的剂量作了分析.由测试结果发现注入机的标称剂量值与保留剂量值有较大差别,文章分析了其原因,...
[期刊论文] 作者：李向阳,张通和,马本,张永刚,陈昌麒,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2004
研究了不同注量Nb离子注入的Ti－Al合金（Al的原子分数为48％）在900，950℃静止空气中的恒温氧化行为．研究发现：注量为3×1017cm(-2)的Nb可以显著改善该合金的高温抗氧化能力；随注量的增......
[期刊论文] 作者：陈俊,张通和,姬成周,沈京华,杨建华,,
来源：功能材料 年份：1991
文中讨论了以Ti注入H_(13)钢与轴承钢为摩擦对偶的磨损特性。注入能量为100、180和300keV,与其相对应的饱和注入量分别为1.4×10~(17)、2.8×10~(17)和5.5×10~(17)cm~(-2)。...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,邓志威,钱卫东,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2001
Mo ions are implanted into aluminium with a high ion flux and high dose at elevated temperatures of 300℃, 400℃ and 500℃ . X-ray diffraction spectra show tha...
[期刊论文] 作者：薛文斌,邓志威,来永春,陈如意,张通和,
来源：金属热处理 年份：2000
微弧氧化是一项在有色金属表面原位生长陶瓷膜的新技术。本文介绍了Al、Mg、Ti金属表面微弧氧化技术的发展历史及氧化物陶瓷膜生长的原理,并比较微弧氧化和阳极氧化技术的工...
[期刊论文] 作者：马芙蓉,张通和,梁宏,张荟星,张孝吉,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2002
将不同单质机械混合，在不增加注入机离子源数目的基础上实现了不同离子的共注入.发现C+W离子共注入使H13钢表面强化，硬度和抗磨损能力提高，且注量的增大加强了这种强化效果.共注......
[期刊论文] 作者：张旭,张通和,易仲珍,张荟星,王广甫,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2002
采用磁过滤MEVVA沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面(单晶硅、不锈钢和工具钢等)上制备高质量类金刚石(DLC)薄膜.实验结果表明,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量...
[期刊论文] 作者：张通和,马芙蓉,吴瑜光,王晓妍,梁宏,
来源：核技术 年份：2001
用多次扫描电位法研究了C+W+C离子注入H13钢的结构和相变及其对抗腐蚀特性的影响,研究了抗腐蚀相生成的条件以及这些相对抗腐蚀特性的作用,并对其改性机理进行了讨论。实验结...
[会议论文] 作者：周宏余, 王平, 张通和, 张荟星, 陈如意,,
来源： 年份：2004
概述了国内外离子束材料改性技术发展的历史和现状;重点介绍了北京师范大学低能核物理研究所在离子注入设备开发、离子注入在半导体材料与器件研制、金属、合金和聚合物等材...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,梁宏,钱卫东,罗晏,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1994
用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现，当注量均为５×１０＾１７ｃｍ＾－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束......
[期刊论文] 作者：肖志松,徐飞,张通和,程国安,顾岚岚,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2001
采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%, 即数密度约1021cm-3;注入态样品快速...
[期刊论文] 作者：肖志松,徐飞,张通和,程国安,顾岚岚,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2002
采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,钱卫东,刘要东,张旭,
来源：中国科学E辑 年份：2004
Co synthesis silicides with good properties were prepared using MEVVA ion implantation with flux of 25-125 mA/cm2 to does of 5×1017/cm2. The structure of the s...
[期刊论文] 作者：肖志松,张通和,徐飞,程国安,顾岚岚,
来源：物理学报 年份：2004
采用MEVVA源离子注入机将Si，Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中，利用卢瑟福背散射(RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布，Er的掺杂浓度为1021cm-3量级；原子力显微镜(AFM)...
[期刊论文] 作者：肖志松,徐飞,张通和,易仲珍,程国安,
来源：半导体学报 年份：2004
Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺...
[期刊论文] 作者：肖志松,徐飞,程国安,易仲珍,张通和,,
来源：北京师范大学学报（自然科学版） 年份：2000
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌.分析结果表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量、束...
相关搜索：
