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[期刊论文] 作者:刘国友,丁荣军,罗海辉,, 来源:Engineering 年份:2015
基于8英寸绝缘栅双极型晶体管(IGBT)生产线的建设,重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问...
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