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[学位论文] 作者：冉广照,
来源：北京大学 年份：2001
该论文系统研究了金属膜/纳米介质膜/Si结构的可见或近红外电致发光,其中的纳米介质膜有如下几种:自然氧化硅,SiO,SiO:Si,SiO:Si:Al,SiO:Si:Er等.得出一些创新的实验成果,概...
[学位论文] 作者：冉广照,
来源：郑州大学 年份：1996
根据国内外太阳电池研制和生产的状况,选择了机械开槽掩埋电极(Mchanical Groore Buried Contract,简称MGBC)高效低成本太阳电池进行研制.利用CAD技术对太阳电池的关键工...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在n^+ -Si衬底上用磁控溅射演积掺Er氧化硅（SiO2:Er)薄膜和掺Er富硅氧化硅（SixO2:Er,x>1)薄膜，薄膜经适当温度退火后，蒸上电极，形成发光二极管（LED）。室温下在大于4V反偏电压下发射......
[期刊论文] 作者：袁放成, 冉广照, 陈源, 张伯蕊, 乔永平, 付济时, 秦国刚,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
...
,Dependence of 1.54 μm Photoluminescence on Excess-Si Degrees of Er-Doped Si-Rich SiO2 Films Deposit
[期刊论文] 作者：冉广照,陈源,秦国刚,马振昌,宗婉华,谢立青,郭春刚,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2001
Room-temperature 1.54 μm photoluminescence (PL) is observed from Er-doped Si-rich SiO2 (SiO2:Si:Er) films deposited by using the magnetron sputtering technique...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到这四种薄膜都具有 1 5 4μm的峰位 ,其强度与...
[期刊论文] 作者：陈源,冉广照,戴 伦,袁放成,秦国刚,马振昌,宗婉华,吴正龙,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化...
[会议论文] 作者：陈开茅,冉广照,陈源,付济时,张伯蕊,朱美栋,乔永平,武兰青,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
固体C(或C)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP)形成良好的异质结,其整流比高达10~10.十多年来,固体C(C)一直是被众多的物......
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：物理学报 年份：2001
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er...
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