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[会议论文] 作者：张连学,葛超洋,方鑫,翟文豪,田程,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
电磁场的"热点(hot spot)"是电磁场强烈增强的区域,通常形成于耦合结构尤其是金属颗粒之间或者金属颗粒与金属薄膜之间的纳米间隙中.近年来,多个研究组报道了三角棱柱尖端耦合的金属蝶形纳米天线.设计了一种高折射率的全介质蝶形纳米阵列结构，在去除金属的本征损......
[会议论文] 作者：秦璐,许兴胜,徐波,张连学,葛超洋,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
设计并生长了发光波长1200-1300纳米GaAs基量子点材料,制作了利用ITO透明导电层作为N型电极InAs/GaAs量子点激光器结构,利用金属In与SOI波导材料辅助键合,测量了器件的电学和光学特性....
[会议论文] 作者：葛超洋,张连学,方鑫,翟文豪,田程,李艳平,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
由于Ⅲ-Ⅴ族材料的能带特点,无应变或压应变量子阱激光器发出的通常为TE模式的光,而TM模式的光有包括偏振复用在内的多种应用前景.为此,采用了表面等离基元超材料,基于一种全新的偏振转换原理,制作了以TM偏振模式为主要输出的Ⅲ-Ⅴ/Si混合激光器.利用成熟的选区......
[会议论文] 作者：侯瑞祥,李磊,方鑫,孙国胜,徐万劲,肖池阶,冉广照,秦国刚,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
掺杂在半导体工业中具有非常重要的意义.传统的半导体掺杂方法有两种,即热扩散和离子注入.热扩散通常需要高温和很长时间,能耗巨大、效率低,而且高温加热过程中半导体材料很容易受到来自周围环境中杂质的玷污.本文延续上述工作，对上述等离子体室温掺杂方法的物理......
[会议论文] 作者：戴兴,葛超洋,李梦珂,李召松,李稚博,周旭亮,陈娓兮,冉广照,于红艳,潘教青,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
硅与Ⅲ-Ⅴ族激光器混合集成是目前实现硅基激光最有效且最有可能实现实用化的方案之一.本课题组和北京大学合作,采用选区金属键合的方案已经实现了几种硅基激光器,其中最具代表性的结构是掩埋脊波导(Buried Ridge Waveguide:BRS)硅基键合激光器,并通过在硅波导......
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