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[学位论文] 作者：刘庭芝,
来源：南昌大学 年份：2006
ZnS是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.6-3.8ev，在光电方面有很好的应用。国内对用化学水浴法制备ZnS薄膜一直没有重视，很少有单位研究。该法的优势在于工艺简......
[期刊论文] 作者：张萌,王应民,徐鹏,蔡莉,李禾,程国安,刘庭芝,,
来源：光学学报 年份：2006
在等离子体作用下,以CO2/H2混合气为氧源,Zn(C2H5)2锌为锌源,在单晶硅上生长出高度择优取向的氧化锌薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜为六方结构,c轴高度择优;原子力显微镜观察到...
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