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[会议论文] 作者：于经,张会娟,解新建,郝秋艳,刘彩池,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，本实验选用廉价衬底，主要包括玻璃片、不锈钢片、低品质的金属硅片。通过单因素法探讨了沉积气压、硅烷浓度、辉光功率及......
[会议论文] 作者：张会娟,于经,郝秋艳,解新建,刘彩池,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的晶化程度及表面形貌进行了测试分析。实验结果表明,随着温度......
[期刊论文] 作者：孙卫忠,王娜,王丽华,郝秋艳,刘彩池,,
来源：现代仪器 年份：2009
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC（Light Energy Converter光能转换器）Si—GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明，大直径LECSi—GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径...
[期刊论文] 作者：孙卫忠,王娜,王丽华,郝秋艳,刘彩池,,
来源：现代仪器 年份：2009
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直...
[期刊论文] 作者：陈玉武,郝秋艳,刘彩池,赵建国,吴丹,王勇,
来源：太阳能学报 年份：2009
利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和...
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