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[期刊论文] 作者：吕安德,
来源：薄膜科学与技术 年份：1993
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[期刊论文] 作者：吕安德,,
来源：发光快报 年份：1990
近年来薄膜科学技术的发展迅速,人们不断开发新技术,研究各类结构和不同厚度薄膜的特性。自从五十年前Langmuir和Blodgett提出用经典浸降技术制作有机薄膜以来,已给若干科学...
[期刊论文] 作者：吕安德,
来源：国外发光与电光 年份：1974
在半导体上用金属整流接触所构成的肖特基二极管,在反向偏压下可有场致发光。作者用硒化锌作了详细的实验,以阐明它的工作机理。电子从金属隧道进入半导体,在耗尽层场中被加...
[期刊论文] 作者：吕安德,
来源：发光学报 年份：1988
近十年来发展起来的原子层外延技术(ALE)实际上是对现有气相外延技术(蒸发、沉积、分子束外延、氯化物外延和MOCVL))的一种改进.它以固体衬底表面的化学反应为基础.因此用ALE...
[会议论文] 作者：吕安德,李梅,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：M.E.Ozsan,吕安德,
来源：国外发光与电光 年份：1976
讨论了含Mn,Mn和Al,Al或Cl的硒化锌单晶制成的肖特基二极管的场致发光性质。这种二极管在反向偏压下发射一种宽度可变的黄色谱带,其峰值波长在5785(2.14 ev)和6050A之间。从Z...
[期刊论文] 作者：吕安德,江龙,
来源：薄膜科学与技术 年份：1993
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[期刊论文] 作者：张立功,吕安德,
来源：薄膜科学与技术 年份：1993
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[期刊论文] 作者：Sigurd Wagner,吕安德,
来源：国外发光与电光 年份：1974
用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1％,在室温时为0.001％。辐射复合是由于电子注入到CuG...
[期刊论文] 作者：Robert J.Robinson,吕安德,
来源：国外发光与电光 年份：1976
宽禁带的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体,由于其发光效率高而一直受到重视,一种明显的应用乃是P—n结的发光二极管。但是,在以往,这些材料只能形成n型,不能形成P型。我们用一种与通常...
[期刊论文] 作者：吕安德,李亚君,
来源：功能材料 年份：1991
合成了一种新型的酞菁铜衍生物——四—4-(2、4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(以下简称tapCuPc)。藉助紫外——可见吸收光谱和透射电镜获得的表面形貌和膜层厚度的照片,研究了成膜...
[期刊论文] 作者：蒋大鹏,吕安德,,
来源：材料导报 年份：1989
从水表面沉积到固体表面的有机薄膜,可能用于分子电子学、微电子学、集成光学到光刻技术的广阔技术领域。近年来,由于薄膜技术的迅速发展已日渐形成一支专业研究队伍,以适应...
[期刊论文] 作者：吕安德,庞小敏,
来源：薄膜科学与技术 年份：1991
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[期刊论文] 作者：陈连春,吕安德,杨爱华,,
来源：发光快报 年份：1990
一、前言叶绿素A(chla)是植物光合作用中的重要的色素分子,具有高效吸收太阳光的能力,并能实现电荷分离,把光能变成电能传递出去,成为后续化学反应的能源。这一系列过程是在...
[期刊论文] 作者：吕安德,范希武,孙要武,
来源：国外发光与电光 年份：1979
硒化锌在室温下具有2.67eV的直接带隙,是一种优良的高效电致发光材料。但是由于自补偿效应,难以制成有效的p—n结发光器件。近年来,许多人采用金属——半导体(M—S)结构研制Z...
[会议论文] 作者：孟立建,吕安德,陶世文,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
用原子层沉积反应原理制备了较高亮度的ZnS∶Mn电致发光薄膜。测量了这种薄膜的亮度（B）－电压（V）特性以及ELPL光谱。研究了发光衰减与Mn浓度的关系。讨论了高Mn浓度下发光猝灭的原......
[期刊论文] 作者：方天如,朱小兵,吕安德,庞小敏,
来源：功能高分子学报 年份：1991
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[期刊论文] 作者：方天如,朱小兵,吕安德,庞小敏,
来源：功能高分子学报 年份：1991
本文对新型两亲单体,2-丙烯酰胺基十六烷磺酸(AMC_(16)S),及其两亲聚合物PAMC_(16)S在空气-水界面上形成单层膜的特点进行了研究。AMC_(16)S可通过在亚相中添加Ca~(2+)或Cd~(...
[期刊论文] 作者：华玉林,金少刚,吕安德,孙要武,
来源：发光与显示 年份：1980
一 引言 近年来,在ZnSe:Mn肖特基发光二极管的研究方面取得了较大的进展。所采用的ZnSe晶体一般均为用不同方法制得的ZnSe单晶,或者用升华法制得的ZnSe多晶。目前二极管的亮...
[期刊论文] 作者：张立功,刘学彦,蒋大鹏,吕安德,元金山,
来源：半导体学报 年份：1998
在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器......
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