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[会议论文] 作者：周天明,李述体,范广涵,孙慧卿,周昕妹,董海平,王立辉,张康,卢太平,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂，对p型GaP的掺杂生长进行了研究，在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3，迁移率为8.6cm2N·S的p型......
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