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[期刊论文] 作者：孙召召,
来源：文艺生活·文艺理论 年份：2004
因水彩本身具有透明、清爽神韵、水乳交融的特性而深得绘画者的青睐,而花卉也是人们喜爱的题材,本文着重研究水彩花卉的基本技法以及其创作,水彩花卉创作在表现对象和表现形...
[期刊论文] 作者：孙再春,,
来源：南京林业大学学报(人文社会科学版) 年份：2004
分析了造成南京住房价格偏高的五个原因,即城区土地资源匮乏、移民压力、市民消费心理、市民收入分布特征、旧城改造及土地流转操作方式的缺陷,并对地理环境、文化背景、市民...
[期刊论文] 作者：孙再智,,
来源：科技展望 年份：2004
由于城市房屋和城市公共设施与管道的布置较为密集等因素影响,使桥梁设计在桥墩方面的设计空间也随之减小,常常采用弯刚箱梁桥方案。本文针对国内常见的连续弯钢箱梁桥的受力...
[期刊论文] 作者：孙再凌,
来源：内蒙古统计 年份：2004
一、传统成本管理的弊端 (一)缺乏重视外部环境的战略观 传统成本管理的对象主要是企业内部的生产过程,而对企业的供应与销售环节考虑不多,对企业外部的价值链更是视而不见。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
日本京瓷公司开发了用于CDMA系统的Bluetooth RF模块。该模块的尺寸仅为5.0×4.0×1.4mm,在同规格的Bluetooth RF模块中为目前最小尺寸。该模块与美国Qualcomm公司的基带芯...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Simeconductor FPD World》2009年第2期报道,日本新能源产业综合开发机构(NEDO)在开发了半导体先进技术-Selete的同时,又成功开发了具有世界顶级性能的Low-K绝缘膜材料的...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
Ⅲ族氮化物器件开发初期主要是使用无掺杂n型GaN层的MESFET,其后将目光转为具有二维电子气的异质结场效应管(HFET)。目前频率在数GHz～10GHz器件的输出功率已达几十w～100W(输出...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
日本《电子材料》1991年11月报道了低噪声HEMT和功率HEMT器件的性能和现状。低噪声HEMT的工作频率由V频段提高到w频段。工作于w频段的器件几乎都是p—HEMT和晶格匹配型HEMT。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Compound Semiconductor》2007年11/12期报道,LED固态照明器件制造商Cree公司宣布,它的XLamp LED子公司将为北京国家体育馆提供照明效果。Cree亚太区常务理事Seott Schwa...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《CompoundSemiconductor》2006年第4期报道,欧洲领先的SiC供应商德国SiCrystal公司,最近开始量产3英寸半绝缘衬底,这是它迈向功率器件、射频和光电应用领域的又一个里程碑...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《日经微器件》2006年第8期报道,NTT DoCoMo研究机构开发了使用MEMS开关,可适应从900MHz到5GHz范围内四个频段的可变RF放大器。在技术性能改善方面突出了下列几点:1用一个...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC最近开发了用于无线LAN的5GHz目前世界最小的RF收发一体前端模块(FEM),采用了化合物半导体IC技术和LTCC技术。该RF FEM由天线开关(SW)...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC开发了用于下一代大容量无线系统的具有90W以上输出功率的S波段宽带(400MHz)GaAs大功率放大器。该放大器在1个芯片内封装了2只50W输出...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Semiconductor FPD World》(日)2004年第2期报道,日本松下电器产业成功开发了GaN MMIC的大功率开关IC。该开关IC的输出功率是原来同类产品的10倍,达到了40W。此外,采用...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据报道,Elcom Technologies公司日前推出一款新型超低相位噪声耐振结构的可选择振荡器,为宽带接收机应用而设计。可在单个紧凑模块内容纳多达6个不连续的频率级。采用独特的...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《NEC技报》2004年第3期报道,日本NEC和NEC电子共同开发了目前世界最小尺寸的柔性叠层芯片级封装(FFCSP)的3维封装技术。 FFCSP采用热可塑性树脂柔性基板(FPC),将LSI和FPC...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Semiconductor FPD World》(日)2003年第9期报道,2002年GaAs MMIC的世界市场规模走出了2001年的低谷,比2001年增加了4.0%,为11亿3200万美元。市场需求的增加主要来自手...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据报道,日本富士通公司开发出了新型倒装芯片封装技术。该技术可形成35微米超细间距的焊点和高精度的倒装芯片互连。与传统倒装芯片互连相比,该项技术突破性将连接密度提高...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
2003年12月初,东芝公司宣布再增加500亿日元投资,扩大300mm硅圆片生产线的生产能力,将其提高至月产2.5万片的水平,并将投产日期提前至2006年初。而安装的设备为最先进的70nm...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《Solid State Technology》2004年第8期报道,日本NTT的基础材料科学实验室宣布,他们已经成功开发出一种可以提供微机电系统(MEMS)结构使用的高速电子束刻蚀技术,而且其分...
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