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[期刊论文] 作者：赵再召,黄玉芬,倪萍,
来源：浙江预防医学 年份：2009
新生儿甲状腺功能亢进症（简称甲亢）是一种发生于新生儿期少见的自限性疾病，见于患自身免疫性甲状腺疾病尤其是甲亢的母亲所生婴儿，可为暂时性或持续性。根据临床表现和甲状腺功能......
[期刊论文] 作者：孙再明,
来源：小学教学参考(综合) 年份：2009
数学教师的课堂语言要注意哪些方面呢?我们该怎样来提高自身的数学语言修养呢?认为，主要是要把握好以下“五个性”。 一、准确性 准确性是教学语言的灵魂，没有“灵魂”，教学语言就没有生命。缺乏科学性的语言，无论用词如何考究，语句怎样华美，都会显得苍......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Portable Design》2008年11/12期报道,Triquint半导体公司成功研制了为GPS全球定位卫星导航系统设计的高集成度射频模块,以小型封装模式将滤波器和LNA低噪声放大器功能集...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》(日)2009年第8期报道,NEC公司业界首次采用Si基GaN器件研发了76 GHz的毫米波车载防撞雷达。车载防撞雷达系统成本高,这是不能普及的主要原因。为了降低系统成...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《SolidState Tech.》2008年11/12期报道,比利时IMEC公司在接受日经BP社采访时表示将建设450nm晶圆生产线。这是此前美国英特尔、韩国三星和中国台湾台积电三公司就450nm晶...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》(日)2008年第12期报道,日本Fair Child半导体公司研制了业界最薄的P-ch MOSFET器件。该器件具有优异的电性能和散热性能,符合便携式产品的应用需求,采用1×1.5...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《日经微电子》2008年第12期报道,SMIC公司研发了0.11μm的CMOS传感器工艺制造技术。作为布线层的金属可使用铝(Al)和铜(Cu)。该公司已经采用0.11μm工艺技术进行试生产,并...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《日经微器件》2009年第1期报道,中国目前正在大力开拓Si材料量产能力,以解决太阳电池的生产需求。2007年中国的太阳电池生产量已经达到1088MW,成为世界第一的水平,但作为...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Simeconductor FPD World》2009年第5期报道,STMicro公司研发了一种欧姆阻抗仅为0.079O的Si功率MOSFET。在谋求功率转换系统小型化和低功耗化的背景下,其关键技术是通过...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Portable Design》2008年第10期报道,美国恩智浦半导体(NXP)公司宣布聘用ATREG(Colliers International的半导体销售部门)出售其位于纽约费西基尔(Fishkill)可以完全投入...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《SolidState Tech.》2008年11/12期报道,中国中芯国际已开始涉足MEMS代工领域,主要涉及三项MEMS技术:(1)与LSI集成的技术;(2)把机械部件、光学部件和电子器件集成在同一芯...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Simeconductor FPD World》2009年第5期报道,调查机构DisplaySearch发表有机EL(OLED)面板市场预测。该机构认为,2008年OLED面板的市场是5亿9100万美元,而到2015年OLED产...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,在2008年12月23日Strategy Analytics在发表的“2007-2012年GaN市场更新”报告中,证实了GaN器件的呈指数式扩张的发展趋势。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》(日)2009年第4期报道,韩国政府现在正在积极推进“LED照明1530项目”。该项目的目标是到2015年韩国国内的照明市场,LED照明的比例扩大到30%,韩国在世界LED市场...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第8期报道,日本富士通研究所制定了一个称为“应用于电源达到实用水平的性能”的计划,开发GaN基HEMT功率器件。以HEMT为研发基础,争取在2011...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《Semiconductor FPD World》2008年第9期报道,日本松下电工和东京农工大学合作,开发出了以纳米硅为电子源的无放电发光器件,实现了环保型的高效、无水银的照明器件。该发...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》(日)2009年第7期报道,三菱电机公司开发出了大功率的IGBT模块NX系列,其中(CM150TX-24S)型号的IGBT模块,耐压高达1200V,额定电流150A。该公司开发了“CSTBT”组...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》2008年第9期报道,日本松下电器产业开发了准毫米波频段GaN集成电路,实现了业界最高的增益系数22dB。1枚芯片信号增幅可达160倍。在这次研发中,用微带线取代了...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2009
据《电子材料》(日)2009年第6期报道,随着全球绿色能源政策的推广,各国都十分重视绿色能源产品的开发。而无论太阳光发电、风能发电、电动汽车,还是生物燃料等替代能源产业,...
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